高壓端口hv通過(guò)金屬引線連接所述高壓供電基島13,，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述高壓供電管腳hv的連接,，接地端口gnd通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接,。需要說(shuō)明的是,，所述邏輯電路122可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上，與所述控制芯片12的設(shè)置方式類似,，在此不一一贅述作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,，所述漏極管腳drain的寬度大于，進(jìn)一步設(shè)置為～1mm,，以加強(qiáng)散熱,，達(dá)到封裝熱阻的作用。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用三基島架構(gòu),，將整流橋,、功率開關(guān)管、邏輯電路及高壓續(xù)流二極管集成在一個(gè)引線框架內(nèi),，由此降低封裝成本,。如圖4所示,，本實(shí)施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,，第二電容c2,，第三電容c3，一電感l(wèi)1,，負(fù)載及第二采樣電阻rcs2,。如圖4所示，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,，零線管腳n連接零線,，信號(hào)地管腳gnd接地。如圖4所示,，所述第二電容c2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,，另一端接地。如圖4所示,，所述第三電容c3的一端連接所述1高壓供電管腳hv,，另一端經(jīng)由所述一電感l(wèi)1連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain。如圖4所示,。整流橋由控制器的控制角控制,當(dāng)控制角為0°～90°時(shí),，整流橋處于整流狀態(tài),輸出電壓的平均值為正。中國(guó)香港整流橋模塊現(xiàn)貨

請(qǐng)參閱圖1～圖7,。需要說(shuō)明的是,，本實(shí)施例中所提供的圖示以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目,、形狀及尺寸繪制,，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變,，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜,。實(shí)施例一如圖1所示，本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1包括：塑封體11,，設(shè)置于所述塑封體11邊緣的多個(gè)管腳，以及設(shè)置于所述塑封體11內(nèi)的整流橋,、功率開關(guān)管,、邏輯電路,、高壓供電基島13及信號(hào)地基島14,。如圖1所示，所述塑封體11呈長(zhǎng)方形,，用于將引線框架及器件整合在一起,，并保護(hù)內(nèi)部器件,。在本實(shí)施例中，所述塑封體11采用sop8的外型尺寸,，以此可與現(xiàn)有塑封體共用,，進(jìn)而減小成本。在實(shí)際使用中,，可根據(jù)需要采用其他外型尺寸,，不以本實(shí)施例為限。如圖1所示,，各管腳設(shè)置于所述塑封體11的邊緣,。具體地，在本實(shí)施例中,，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1包括火線管腳l,、零線管腳n、高壓供電管腳hv,、信號(hào)地管腳gnd,、漏極管腳drain及采樣管腳cs。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,。福建國(guó)產(chǎn)整流橋模塊供應(yīng)四個(gè)引腳中,，兩個(gè)直流輸出端標(biāo)有＋或－，兩個(gè)交流輸入端有～標(biāo)記,。

所述負(fù)載連接于所述第三電容c3的兩端,。具體地，在本實(shí)施例中,，所述負(fù)載為led燈串,，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負(fù)極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點(diǎn),。如圖4所示,，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs，另一端接地,。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,，適用于高壓buck(5w～25w)。實(shí)施例三如圖5所示,，本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),，與實(shí)施例一及實(shí)施例二的不同之處在于，所述整流橋的設(shè)置方式不同,，且還包括瞬態(tài)二極管dtvs,。如圖5所示，在本實(shí)施例中,，所述瞬態(tài)二極管dtvs與所述高壓續(xù)流二極管df疊置于所述高壓供電基島13上,。具體地,，所述高壓續(xù)流二極管df采用p型二極管，所述瞬態(tài)二極管dtvs采用n型二極管,。所述高壓續(xù)流二極管df的正極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述漏極基島15上,，負(fù)極朝上。所述瞬態(tài)二極管dtvs的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓續(xù)流二極管df的負(fù)極上,，正極(朝上)通過(guò)金屬引線連接所述高壓供電管腳hv,。需要說(shuō)明的是，在實(shí)際使用中,，所述高壓續(xù)流二極管df及所述瞬態(tài)二極管dtvs可采用不同類型的二極管根據(jù)需要設(shè)置在同一基島,。

所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示,，所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈,，負(fù)極連接所述第五電容c5。如圖6所示,，所述負(fù)載連接于所述第五電容c5的兩端,。具體地，在本實(shí)施例中,，所述負(fù)載為led燈串,，所述led燈串的正極連接所述二極管d的負(fù)極，負(fù)極連接所述第五電容c5與所述變壓器的連接節(jié)點(diǎn),。如圖6所示,，所述第三采樣電阻rcs3的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs，另一端接地,。本實(shí)施例的電源模組為隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,，適用于兩繞組flyback(3w～25w)。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),，與實(shí)施例一～三的不同之處在于,，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1還包括電源地管腳bgnd，所述整流橋的第二輸出端不連接所述信號(hào)地管腳gnd,，而連接所述電源地管腳bgnd,，相應(yīng)地，所述整流橋的設(shè)置方式也做適應(yīng)性修改,，在此不一一贅述,。如圖7所示，本實(shí)施例還提供一種電源模組,，所述電源模組與實(shí)施例二的不同之處在于,，所述電源模組中的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1采用本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1，還包括第六電容c6及第二電感l(wèi)2。具體地,。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器,。

整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了,。分全橋和半橋,。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓,。整流橋作為一種功率元器件,，非常***。應(yīng)用于各種電源設(shè)備,。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓,。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作,，通過(guò)二極管的單向?qū)üδ?，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上,。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,，他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線）相連，形成我們?cè)谕庥^上看見的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋,。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),，在上述的二極管、引腳銅板,、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣,、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹脂。然而,，環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的（一般為℃W/m,，**高為℃W/m），因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大（通常為℃/W）,。通常情況下,。整流橋的選型也是至關(guān)重要的，后級(jí)電流如果過(guò)大,，整流橋電流小,，這樣就會(huì)導(dǎo)致整流橋發(fā)燙嚴(yán)重。山東整流橋模塊

整流橋（D25XB60）內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓,。中國(guó)香港整流橋模塊現(xiàn)貨

這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠,。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過(guò)DBC板的刻蝕圖形來(lái)實(shí)現(xiàn)的,。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)和共陰的連接特點(diǎn),，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽(yáng)極)和三片是反燒(即芯片正面是陽(yáng)極,、反面是陰極),，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡(jiǎn)化,。同時(shí),，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少,，模塊可靠性提高,。4、外殼：殼體采用抗壓,、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的,，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底板,、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問(wèn)題,，通過(guò)環(huán)氧樹脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔，實(shí)現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接,，以達(dá)到較高的防護(hù)強(qiáng)度和氣閉密封,，并為主電極引出提供支撐。中國(guó)香港整流橋模塊現(xiàn)貨