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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-10

當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),,以具有自關(guān)斷能力,,使用方便,是理想的高壓,、大電流開(kāi)關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管。目前,,大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,,顯示出強(qiáng)大的生命力,。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是一種光敏器件,。由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,,沒(méi)有必要再引出控制極,所以只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K),,結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,,是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,,陰極加上負(fù)向電壓時(shí),,控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,,只是它對(duì)光源的波長(zhǎng)有一定的要求,,有選擇性。波長(zhǎng)在0.8——0.9um的紅外線及波長(zhǎng)在1um左右的激光,,都是光控晶閘管較為理想的光源,。晶閘管的應(yīng)用晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件,具有硅整流器件的特性,,能在高電壓,、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流,,其工作過(guò)程可以控制,,具有體積小、輕、功耗低,、效率高,、開(kāi)關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)?;谏鲜鎏攸c(diǎn),。體閘流管簡(jiǎn)稱為品閘管,也叫做可控硅,,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,。寧夏哪里有晶閘管模塊哪里有賣的

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引起了電子雪崩,,粒界層迅速變成低阻抗,,電流迅速增加,泄漏了能量,,抑制了過(guò)電壓,,從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后,,粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱電壓:當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng),,它兩端的電壓值,。通流數(shù)據(jù)容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流,,每隔5分鐘沖擊1次,,共沖擊10次,標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10[%]以內(nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來(lái)表示,。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過(guò)一定程度大小的放電容量和放電次數(shù),,標(biāo)稱電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降,而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,,當(dāng)大到某一部分電流時(shí),,標(biāo)稱電壓下降到0,壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔,,甚至炸裂,;因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流:將標(biāo)稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測(cè)量的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,,殘壓低,抑制過(guò)電壓能力強(qiáng),;平時(shí)漏電流小,,放電后不會(huì)有續(xù)流,元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,便于用戶選擇,;伏安特性是對(duì)稱的,,可用于交、直流或正負(fù)浪涌,;因此用途較廣,。過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制。西藏國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊聯(lián)系人晶閘管工作條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流,。

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美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上***個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器(SR),,1957年又開(kāi)發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它們具有體積小,、重量輕,、效率高、壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì),,尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,,令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域、大功率控制領(lǐng)域,。在整流器的應(yīng)用上,,晶閘管迅速取代了**整流器(引燃管),實(shí)現(xiàn)整流器的固體化,、靜止化和無(wú)觸點(diǎn)化,,并獲得巨大的節(jié)能效果。從1960年代開(kāi)始,,由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管,、光控晶閘管、不對(duì)稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管,,形成一個(gè)龐大的晶閘管家族,。晶閘管在應(yīng)用中有效率高、控制特性好,、壽命長(zhǎng),、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),,其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的,,而且工作可靠。因晶閘管的上述優(yōu)點(diǎn),,國(guó)外對(duì)晶閘管在脈沖功率源領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的研究做了大量的工作,,很多脈沖功率能源模塊已經(jīng)使用晶閘管作為主開(kāi)關(guān),。而國(guó)內(nèi)的大功率晶閘管主要應(yīng)用在高壓直流輸電的工頻環(huán)境下,其工頻工作條件下的技術(shù)參數(shù)指標(biāo)不足以準(zhǔn)確反映其在脈沖電源這種高電壓,、大電流,、高陡度的環(huán)境下的使用情況。

所以一旦可控硅導(dǎo)通后,,即使控制極G的電流消失了,,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,,沒(méi)有關(guān)斷功能,,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于他只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),,所以晶閘管具有開(kāi)關(guān)特性,,這也就是晶閘管的作用。晶閘管在工作過(guò)程中,,它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,,組成晶閘管的主電路,,晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,,組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),,不管門(mén)極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),,在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),,這就是晶閘管的閘流特性,,即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,,只要有一定的正向陽(yáng)極電壓,,不論門(mén)極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,,即晶閘管導(dǎo)通后,,門(mén)極失去作用。門(mén)極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷,。4全控型晶閘管的工作條件:1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),,不管門(mén)極承受何種電壓,,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),,在門(mén)極承受正向電壓,。金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,。

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從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,,提高了耐電流上升率的能力,。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的,。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器,。結(jié)電壓急劇變化時(shí),就有很大的位移電流流過(guò)元件,,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用,。可能使晶閘管誤導(dǎo)通,。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因,。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu),。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路,。這樣一來(lái),即使電壓上升率較高,,晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,,不致使晶閘管誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高,,結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,,在短路點(diǎn)上產(chǎn)生電壓降足夠大時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通,。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,,用控制極電流觸發(fā)時(shí),控制極電流首先也是從短路點(diǎn)流向陰極,。只是當(dāng)控制極電流足夠大,,在短路點(diǎn)電阻上的電壓降足夠大,PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時(shí),,才同沒(méi)有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣,,可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此,,快速晶閘管的抗干擾能力較好,??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,,已有了電流幾百安培,、耐壓1千余伏,關(guān)斷時(shí)間*為20微妙的大功率快速晶閘管,,同時(shí)還做出了**高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。廣西國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊供應(yīng)商家

普通晶閘管(SCR)靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后,,撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài),。寧夏哪里有晶閘管模塊哪里有賣的

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,其直徑為英寸,,單閥片耐壓值也是,。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us,。門(mén)極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,,觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開(kāi)關(guān)所能承受的反向電壓較低,,因此還只能在特定的脈沖電源中使用,。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,,普通的晶閘管屬于半控型器件,,通過(guò)門(mén)極(控制極)只能控制其開(kāi)通而不能控制其關(guān)斷,導(dǎo)通后控制極即不再起作用,,要關(guān)斷必須切斷電源,即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性,,必須另外配以由電感、電容及輔助開(kāi)關(guān)器件等組成的強(qiáng)迫換流電路,,從而使裝置體積增大,,成本增加,而且系統(tǒng)更為復(fù)雜,、可靠性降低,。二是因?yàn)榇祟惼骷⒆阌诜至⒃Y(jié)構(gòu),開(kāi)通損耗大,,工作頻率難以提高,,限制了其應(yīng)用范圍。1970年代末,,隨著可關(guān)斷晶閘管(GTO)日趨成熟,,成功克服了普通晶閘管的缺陷,,標(biāo)志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。寧夏哪里有晶閘管模塊哪里有賣的