采用電子線(xiàn)路進(jìn)行保護(hù)等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽(yáng)極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無(wú)感電容,，接線(xiàn)應(yīng)盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€(xiàn)性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短,、峰值高,、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電，抑制過(guò)電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線(xiàn)端還并有硒堆或壓敏電阻等非線(xiàn)性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用,，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線(xiàn)性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí),。晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。山西國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊供應(yīng)商

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形,。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門(mén)極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況,；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線(xiàn)波形）,。開(kāi)通過(guò)程晶閘管的開(kāi)通過(guò)程就是載流子不斷擴(kuò)散的過(guò)程,。對(duì)于晶閘管的開(kāi)通過(guò)程主要關(guān)注的是晶閘管的開(kāi)通時(shí)間t。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過(guò)程以及外電路電感的限制,，晶閘管受到觸發(fā)后,，其陽(yáng)極電流只能逐漸上升。從門(mén)極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開(kāi)始,，到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽(yáng)極電壓降到額定值的90%）,，這段時(shí)間稱(chēng)為觸發(fā)延遲時(shí)間t。陽(yáng)極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時(shí)間（對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽(yáng)極電壓由90%降到10%）稱(chēng)為上升時(shí)間t,，開(kāi)通時(shí)間t定義為兩者之和,，即t=t+t通常晶閘管的開(kāi)通時(shí)間與觸發(fā)脈沖的上升時(shí)間，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān)。[1]關(guān)斷過(guò)程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí),，由于外電路電感的存在,，其陽(yáng)極電流在衰減時(shí)存在過(guò)渡過(guò)程。陽(yáng)極電流將逐步衰減到零,，并在反方向流過(guò)反向恢復(fù)電流,，經(jīng)過(guò)**大值I后，再反方向衰減,。同時(shí),。中國(guó)香港優(yōu)勢(shì)晶閘管模塊供應(yīng)商1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,。

引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加,，泄漏了能量,，抑制了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示,。標(biāo)稱(chēng)電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng),，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流,，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次,，標(biāo)稱(chēng)工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以?xún)?nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來(lái)表示,。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過(guò)一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱(chēng)電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降,，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一部分電流時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電壓下降到0,，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂；因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量,。漏電流：將標(biāo)稱(chēng)直流電壓的一半加到壓敏電阻上測(cè)量的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低,，抑制過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱(chēng)電壓等級(jí)多,，便于用戶(hù)選擇,；伏安特性是對(duì)稱(chēng)的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小,，特別像晶閘管這類(lèi)高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,。

適應(yīng)多于六個(gè)晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備,。具有完善故障、報(bào)警檢測(cè)和保護(hù)功能,。實(shí)時(shí)檢測(cè)過(guò)流,、過(guò)壓、反饋丟失,、控制板內(nèi)部故障,。設(shè)有開(kāi)機(jī)給定回零、軟啟動(dòng),、截流,、截壓、急停保護(hù),。調(diào)試簡(jiǎn)便,，數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬(wàn)用表。每一塊控制板均經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的軟件測(cè)試,、硬件老化,，以確保工作穩(wěn)定可靠。三相晶閘管觸發(fā)板適用電路①三相全控橋式可控整流電路,。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。③變壓器原邊交流調(diào)壓,，副邊二極管整流電路,。④三相零式整流電路。⑤三相半控橋式可控整流電路,。⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路三相晶閘管觸發(fā)板正常使用條件⑴海拔高度不超過(guò)2000M,。⑵環(huán)境溫度：-40℃-+50℃。⑶空氣比較大相對(duì)濕度不超過(guò)90%(在相當(dāng)于空氣溫度20±5℃),。⑷運(yùn)行地點(diǎn)無(wú)導(dǎo)電塵埃,，沒(méi)有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。⑸無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊。三相晶閘管觸發(fā)板工作原理本控制板是以工業(yè)級(jí)的單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制,、數(shù)字觸發(fā)系統(tǒng),。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓,、耐高溫,、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。

晶閘管的種類(lèi)晶閘管有多種方式分類(lèi)管理方法,。（1）按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類(lèi)晶閘管可分為普通晶閘管,、晶閘管晶閘管,、反向晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管,、btg晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷(xiāo)和分類(lèi)的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。（三）按封裝形式分類(lèi)晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管，晶閘管塑料晶閘管和三種類(lèi)型的陶瓷封裝的,。其中,，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形，板形,，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無(wú)兩,。（四）按電流容量分類(lèi)晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝，而中,、小功率通過(guò)晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管,。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱(chēng)SCR,，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件,。SCR是它的縮寫(xiě),。根據(jù)其工作特性，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC),?？煽毓枰卜Q(chēng)作一個(gè)晶閘管,，它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件。塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。安徽國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊貨源充足

晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓,，是指門(mén)極開(kāi)路時(shí)，允許加在陽(yáng)極,、陰極之間的比較大反向電壓,。山西國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊供應(yīng)商

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時(shí)候,，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值，稱(chēng)為額定通態(tài)平均電流IT,，簡(jiǎn)稱(chēng)額定電流,。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱(chēng)為維持電流IH,。一般為幾十毫安～一百多毫安,，其數(shù)值與元件的溫度成反比，在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半,。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),，晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類(lèi)型：晶閘管有多種類(lèi)型,，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用,。山西國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊供應(yīng)商