故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài),。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。從圖3,，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,，即使此時門極電流Ig=0,，晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,，由于a1和a1迅速下降,，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),。特性特性曲線晶閘管的陽極電壓與陽極電流的關(guān)系,，稱為晶閘管的伏安特性，如圖所示,。晶閘管的陽極與陰極間加上正向電壓時,，在晶閘管控制極開路(Ig=0)情況下，開始元件中有很小的電流(稱為正向漏電流)流過,。正向比較大阻斷電壓,，是指門極開路時，允許加在陽極,、陰極之間的比較大正向電壓,。新疆優(yōu)勢晶閘管模塊

美國通用電氣公司研發(fā)了世界上***個以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）,。由于它們具有體積小,、重量輕、效率高,、壽命長的優(yōu)勢,，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進入了強電控制領(lǐng)域,、大功率控制領(lǐng)域,。在整流器的應(yīng)用上，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管）,，實現(xiàn)整流器的固體化,、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節(jié)能效果,。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管,、光控晶閘管,、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族,。晶閘管在應(yīng)用中有效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的，而且工作可靠,。因晶閘管的上述優(yōu)點,，國外對晶閘管在脈沖功率源領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的研究做了大量的工作，很多脈沖功率能源模塊已經(jīng)使用晶閘管作為主開關(guān),。而國內(nèi)的大功率晶閘管主要應(yīng)用在高壓直流輸電的工頻環(huán)境下,，其工頻工作條件下的技術(shù)參數(shù)指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流,、高陡度的環(huán)境下的使用情況,。貴州優(yōu)勢晶閘管模塊代理品牌晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2,、J3三個PN結(jié)，可以把它中間的NP分成兩部分,。

認識半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化,。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成三個PN結(jié),，分別稱：陽極,，陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性,。若晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。晶閘管在導(dǎo)通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關(guān)斷,。晶閘管的種類1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,，其他兩個極稱為主電極Tl和T2。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通,。它無所謂陽極和陰極,，不管觸發(fā)信號的極性如何，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通,。這個特點是普通晶閘管所沒有的,。2．快速晶閘管人們在普通晶閘管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施。

晶閘管模塊按控制特性可分為普通晶閘管（SCR）,、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）,、集成門極換流晶閘管（IGCT）和光控晶閘管（LTT）。GTO模塊（如三菱的CM系列）通過門極負脈沖（-20V/2000A）實現(xiàn)主動關(guān)斷,，開關(guān)頻率提升至1kHz,，但關(guān)斷損耗較高（10-20mJ/A）。IGCT模塊（如英飛凌的ASIPM）將門極驅(qū)動電路集成封裝,，關(guān)斷時間縮短至3μs,，適用于中壓變頻器（3.3kV/4kA）。光控晶閘管（LTT）采用光纖觸發(fā),，耐壓可達8kV,，抗電磁干擾能力極強，用于特高壓換流閥,。碳化硅（SiC）晶閘管正在研發(fā)中,，理論耐壓達20kV，開關(guān)速度比硅基產(chǎn)品快100倍,，未來有望顛覆傳統(tǒng)高壓應(yīng)用,。大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。

具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結(jié),。因此,，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極,。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極,，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω),，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中,，紅表筆接的是陰極K,，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A,，若兩次測出的阻值均很大,，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極,，直到找出三個電極為止,。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻,，若正,、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K,，而另一腳即為門極G,。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,，較細的引線端為門極G,，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,，平面端為陽極A,，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,，其外殼為陽極A,。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連,。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,，可用萬用表R×1檔測量。在使用過程中,，晶閘管對過電壓是很敏感的,。內(nèi)蒙古國產(chǎn)晶閘管模塊銷售

晶閘管在導(dǎo)通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關(guān)斷,。新疆優(yōu)勢晶閘管模塊

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起,。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,，從電路功能上可以把它等效成圖3(c),，也就是說,，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通,。對雙向晶閘管來說,，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極,，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極,，反過來也一樣,。因此，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓,，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,。不*如此，雙向晶閘管還有一個重要的特點,，這就是：不管觸發(fā)信號的極性如何,，也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通,。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的,。快速晶閘管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作,。因為器件的導(dǎo)通或關(guān)斷需要一定時間,，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導(dǎo)通,；陽極電流上升速度太快時,，會燒毀元件。新疆優(yōu)勢晶閘管模塊