中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件,、半導(dǎo)體特殊器件,、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三,、四,、五部分）組成,。五個部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目,。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性,。表示二極管時：A-N型鍺材料,、B-P型鍺材料,、C-N型硅材料、D-P型硅材料,。表示三極管時：A-PNP型鍺材料,、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料,、D-NPN型硅材料,。德國、法國,、意大利,、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利,。松江區(qū)品牌半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

除了作為放大,、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外,，還有一些特殊用途的晶體管,，如光晶體管,、磁敏晶體管,，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號,，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號,。此外，還有一些特殊器件,，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等,。在通信和雷達等***裝備中,，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號,。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展,，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高,，而噪聲系數(shù)不斷下降,。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小,、重量輕和功耗低等特性,，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 ,。浦東新區(qū)家居半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD),。

Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管,、CS-場效應(yīng)管,、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管,、PIN-PIN型管,、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,，由五至七部分組成,。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型,。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管,、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件,、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件,、┄┄依此類推。

兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū),。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極,。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時,，發(fā)射結(jié)處于正向偏置,，集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,，這些少數(shù)載流子靠擴散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù),。在共發(fā)射極電路中,，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng),。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類,。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下。

晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類,。根據(jù)用途的不同,，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大,、振蕩,、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管,、磁敏晶體管,，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號,，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號,。此外，還有一些特殊器件,，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等,。在通信和雷達等***裝備中,，主要靠高靈敏度用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-表通用半導(dǎo)體器件的登記序號,。松江區(qū)品牌半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

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這些少數(shù)載流子靠擴散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù),。在共發(fā)射極電路中,，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng),。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類,。場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)）,，使具有放大信號的功能,。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏?？刂茩M向電場的電極稱為柵,。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應(yīng)晶體管可以分為三種：①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)；松江區(qū)品牌半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

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