接電源的正極而另一端接負極時,，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄,，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接,，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流),。因此,，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起一個電容的作用,，這電容隨著外加電壓的變化而變化,。在偶極層內(nèi)部電場很強,。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內(nèi)部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級,。利用PN結(jié)的這些特性在各種應用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管,、檢波二極管,、變頻二極管、變?nèi)荻O管,、開關(guān)二極管,、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲器等；配上光電二極管列陣,，可用作攝像管。寶山區(qū)進口半導體器件設(shè)備結(jié)構(gòu)

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性,。表示二極管時：A-N型鍺材料,、B-P型鍺材料、C-N型硅材料,、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料,、B-NPN型鍺材料,、C-PNP型硅材料,、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型,。P-普通管,、V-微波管,、W-穩(wěn)壓管、C-參量管,、Z-整流管,、L-整流堆、S-隧道管,、N-阻尼管,、U-光電器件,、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W),、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W),、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件,、B-雪崩管青浦區(qū)發(fā)展半導體器件設(shè)備設(shè)計除四個基本部分外,，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類,。

美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下：***部分：用符號表示器件用途的類型,。JAN-軍級,、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級,、JANS-宇航級,、（無）-非***品,。第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目,。1-二極管,、2=三極管,、3-三個pn結(jié)器件,、n-n個pn結(jié)器件,。第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記,。第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號,。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔,。A,、B、C,、D,、┄┄-同一型號器件的不同檔別

國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名方法德國、法國,、意大利,、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利,、羅馬尼亞,、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,，大都采用國際電子聯(lián)合會半導體分立器件型號命名方法,。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：***部分：用字母表示器件使用的材料,。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺,、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵,、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦,、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。

通常利用不同的半導體材料,、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻,、高頻、微波,、毫米波,、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件,，典型**是各種晶體管（又稱晶體三極管）,。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管,。除了作為放大、振蕩,、開關(guān)用的 一般晶體管外還有一些特殊用途的晶體管,，如光晶體管,、磁敏晶體管,，場效應傳感器等。①結(jié)型場效應管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極),；寶山區(qū)進口半導體器件設(shè)備結(jié)構(gòu)

兩位以上的整數(shù)-從“11”開始,，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。寶山區(qū)進口半導體器件設(shè)備結(jié)構(gòu)

③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應管使用*****,。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性,。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD),，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息,，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲器等；配上光電二極管列陣,，可用作攝像管,。使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏,?？刂茩M向電場的電極稱為柵。寶山區(qū)進口半導體器件設(shè)備結(jié)構(gòu)

上海奧啟躍科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗,，在發(fā)展過程中不斷完善自己,，要求自己，不斷創(chuàng)新,，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,，在上海市等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結(jié)果,，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強,、一往無前的進取創(chuàng)新精神,，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下,，全力拼搏將共同上海奧啟躍科技供應和您一起攜手走向更好的未來,，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài),，更認真的態(tài)度,，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏,，去努力,，讓我們一起更好更快的成長！