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它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成,其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),,另一個稱為集電結(jié),。兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極,。接在基區(qū)上的電極稱為基極,。在應(yīng)用時,發(fā)射結(jié)處于正向偏置,,集電極處于反向偏置,。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,這些少數(shù)載流子靠擴散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,,只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流,。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中,,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,,這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類,。①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極),;普陀區(qū)品牌半導(dǎo)體器件設(shè)備檢測
第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管,、C-NPN型高頻管,、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅,、G-N控制極可控硅,、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管,、K-N 溝道場效應(yīng)管,、M-雙向可控硅。第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號,。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始,,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號,;數(shù)字越大,,越是產(chǎn)品。第五部分: 用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志,。A,、B、C,、D,、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品,。美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法青浦區(qū)進(jìn)口半導(dǎo)體器件設(shè)備維修B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅,、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵。
X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W),、D-低頻大功率管(f1W),、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器),、Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管,、CS-場效應(yīng)管,、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管,、PIN-PIN型管,、JG-激光器件。第四部分:用數(shù)字表示序號第五部分:用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,,由五至七部分組成,。通常只用到**個部分,其各部分的符號意義如下:
例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成,。通常只用到**個部分,,其各部分的符號意義如下:***部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管,、1-二極管,、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件,、┄┄依此類推,。第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件,。一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目,。2-二極管、3-三極管,。
第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征,。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管,、C-低頻小功率三極管,、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管,、F-高頻小功率三極管,、G-復(fù)合器件及其他器件,、H-磁敏二極管,、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管,、M-封閉磁路中的霍爾元件,、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件,、R-小功率晶閘管,、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管,、U-大功率開關(guān)管,、X-倍增二極管、Y-整流二極管,、Z-穩(wěn)壓二極管,。第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-**通用半導(dǎo)體器件的登記序號,、一個字母加二位數(shù)字-表示**半導(dǎo)體器件的登記序號,。一個字母加二位數(shù)字-表示半導(dǎo)體器件的登記序號。青浦區(qū)進(jìn)口半導(dǎo)體器件設(shè)備維修
B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管,、D-NPN型低頻管,、F-P控制極可控硅。普陀區(qū)品牌半導(dǎo)體器件設(shè)備檢測
通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,,這些少數(shù)載流子靠擴散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,,只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù),。在共發(fā)射極電路中,,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng),。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類,。場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應(yīng)),使具有放大信號的功能,。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏,。控制橫向電場的電極稱為柵,。普陀區(qū)品牌半導(dǎo)體器件設(shè)備檢測
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