半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件,、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管,、PIN型管,、激光器件的型號命名只有第三、四,、五部分）組成,。五個部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管,、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性,。表示二極管時：A-N型鍺材料,、B-P型鍺材料,、C-N型硅材料、D-P型硅材料,。表示三極管時：A-PNP型鍺材料,、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料,、D-NPN型硅材料,。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型。P-普通管數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目,。1-二極管,、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件,、n-n個pn結(jié)器件,。青浦區(qū)質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管,、2=三極管,、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件,。第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志,。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號,。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號,。第五部分：用字母表示器件分檔。A,、B,、C,、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別,。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管,，JAN-軍級、2-三極管,、N-EIA 注冊標(biāo)志,、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔,。奉賢區(qū)國產(chǎn)半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌用字母表示器件分檔,。A、B,、C,、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別,。

晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類,。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管,。除了作為放大,、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外,，還有一些特殊用途的晶體管,，如光晶體管、磁敏晶體管,，場效應(yīng)傳感器等,。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號,。此外,，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,，可控硅可用于各種大電流的控制電路,。。,。,。

在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個具有空間電荷的偶極層,。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài),。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊）接電源的正極而另一端接負(fù)極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄,，電流很快上升,。如果把電源的方向反過來接,，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流),。因此,，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴４送?，PN結(jié)的偶極層還起一個電容的作用如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管,，JAN-軍級、2-三極管,。

開關(guān)用的 一般晶體管外,，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管,、磁敏晶體管,，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號,，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號,。此外，還有一些特殊器件,，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等,。在通信和雷達(dá)等***裝備中，主要靠高靈敏度,、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號,。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快,，工作頻率不斷提高,，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異,、體積小,、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo),、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 ,。D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料,。崇明區(qū)貿(mào)易半導(dǎo)體器件設(shè)備修理

半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件,、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管,、PIN型管,。青浦區(qū)質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)）,，使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏,?？刂茩M向電場的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應(yīng)晶體管可以分為三種：①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極),；②MOS場效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）,；③MES場效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應(yīng)管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性,。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上,。青浦區(qū)質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

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