表示二極管時：A-N型鍺材料,、B-P型鍺材料、C-N型硅材料,、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料,、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料,、D-NPN型硅材料,。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型。P-普通管,、V-微波管,、W-穩(wěn)壓管、C-參量管,、Z-整流管,、L-整流堆、S-隧道管,、N-阻尼管,、U-光電器件,、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W),、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W),、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管,、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件,、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管,、JG-激光器件,。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號,。靜安區(qū)生態(tài)半導(dǎo)體器件設(shè)備結(jié)構(gòu)

接電源的正極而另一端接負(fù)極時,，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄,，電流很快上升,。如果把電源的方向反過來接,，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚,，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此,，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起一個電容的作用,，這電容隨著外加電壓的變化而變化,。在偶極層內(nèi)部電場很強。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時，偶極層內(nèi)部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級,。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管,、檢波二極管浦東新區(qū)生態(tài)半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管,、D-低頻大功率三極管,、E-隧道二極管。

Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管,、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管,、BT-半導(dǎo)體特殊器件,、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管,、JG-激光器件,。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,，由五至七部分組成。通常只用到**個部分,，其各部分的符號意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型,。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管,、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件,、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件,、┄┄依此類推。

①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極),；②MOS場效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）,；③MES場效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應(yīng)管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性,。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD),，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息,，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等,；配上光電二極管列陣,，可用作攝像管。B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅,、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵,。

通常利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),，已研制出種類繁多,、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻,、高頻,、微波、毫米波,、紅外直至光波,。三端器件一 般是有源器件,，典型**是各種晶體管（又稱晶體三極管）,。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類,。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管,。除了作為放大,、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外還有一些特殊用途的晶體管,，如光晶體管,、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等,。D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦,、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料。虹口區(qū)銷售半導(dǎo)體器件設(shè)備修復(fù)

用字母表示器件使用的材料,。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺,。靜安區(qū)生態(tài)半導(dǎo)體器件設(shè)備結(jié)構(gòu)

日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成,。通常只用到**個部分,，其各部分的符號意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管,、1-二極管,、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件,、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推,。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志,。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型,。A-PNP型高頻管,、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管靜安區(qū)生態(tài)半導(dǎo)體器件設(shè)備結(jié)構(gòu)

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