***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目,。2-二極管,、3-三極管第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料,、B-P型鍺材料,、C-N型硅材料,、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料,、B-NPN型鍺材料,、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料,。第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型,。P-普通管、V-微波管,、W-穩(wěn)壓管,、C-參量管、Z-整流管,、L-整流堆,、S-隧道管、N-阻尼管,、U-光電器件,、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W),、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）,、Y-體效應(yīng)器件日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志,。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。普陀區(qū)發(fā)展半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

通常利用不同的半導(dǎo)體材料,、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻,、高頻、微波,、毫米波,、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件,，典型**是各種晶體管（又稱晶體三極管）,。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管,。除了作為放大、振蕩,、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外還有一些特殊用途的晶體管,，如光晶體管,、磁敏晶體管，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等,。嘉定區(qū)綜合半導(dǎo)體器件設(shè)備設(shè)計(jì)用字母表示器件使用材料極性和類型,。A-PNP型高頻管。

***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型,。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管,、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件,、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件,、┄┄依此類推。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志,。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件,。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管,、B-PNP型低頻管,、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻pn結(jié)的其他器件,、┄┄依此類推

它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,，其中一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個(gè)稱為集電結(jié),。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū),。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極,。在應(yīng)用時(shí),，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏置,。通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里，這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流,。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中,，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類,。美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂,。

一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能,。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏,?？刂茩M向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種：①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極),；②MOS場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見(jiàn)金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）,；③MES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性,。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上,。OS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。虹口區(qū)貿(mào)易半導(dǎo)體器件設(shè)備檢測(cè)

用字母表示器件使用的材料,。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺,。普陀區(qū)發(fā)展半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成,。通常只用到**個(gè)部分,，其各部分的符號(hào)意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管,、1-二極管,、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件,、┄┄依此類推,。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件,。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型,。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管,、C-NPN型高頻管普陀區(qū)發(fā)展半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

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