產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

我們的MOS管具有極低的導(dǎo)通電阻,，相比市場(chǎng)同類產(chǎn)品,，能有效降低功率損耗,，提升能源利用效率,，為用戶節(jié)省成本,。

擁有出色的熱穩(wěn)定性,，在高溫環(huán)境下嚴(yán)格的質(zhì)量把控，產(chǎn)品經(jīng)過多道檢測(cè)工序,，良品率高,，性能穩(wěn)定可靠，讓用戶無后顧之憂,。依然能穩(wěn)定工作,，保障設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間可靠運(yùn)行，減少因過熱導(dǎo)致的故障風(fēng)險(xiǎn),。

擁有出色的熱穩(wěn)定性,，在高溫環(huán)境下依然能穩(wěn)定工作，保障設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間可靠運(yùn)行,，減少因過熱導(dǎo)致的故障風(fēng)險(xiǎn),。

可根據(jù)客戶的不同應(yīng)用場(chǎng)景和特殊需求，提供個(gè)性化的MOS管解決方案,，滿足多樣化的電路設(shè)計(jì)要求,。 MOS管適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的高功率應(yīng)用嗎？IGBTMOS廠家現(xiàn)貨

杭州士蘭微電子（SILAN）作為國(guó)內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè),，在MOS管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累,，以下從產(chǎn)品類型、技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用場(chǎng)景三方面梳理其MOS管業(yè)務(wù)：一,、**產(chǎn)品線：覆蓋高低壓,、多結(jié)構(gòu)高壓MOSFET（400V-900V）F-Cell系列：第四代平面結(jié)構(gòu)，低導(dǎo)通電阻（優(yōu)化JFET效應(yīng)）,、高可靠性（HTRB試驗(yàn)后IDSS*數(shù)nA）,，適用于LED照明、AC-DC電源（如SD6853/6854內(nèi)置650VMOS管的開關(guān)電源芯片）,。超結(jié)MOSFET：深溝槽外延工藝,，開關(guān)速度快，覆蓋650V-900V,，典型型號(hào)如SVS7N65F（7A/650V）,、SVF12N65F（12A/650V），用于服務(wù)器電源、充電樁,、電動(dòng)車控制器,。P溝道高壓管：-30V至-150V，如SVT10500PD（-100V/-30A）,，適用于報(bào)警器,、儲(chǔ)能設(shè)備。標(biāo)準(zhǔn)MOS代理商MOS管具有開關(guān)速度快,、輸入阻抗高,、驅(qū)動(dòng)功率小等優(yōu)勢(shì)！

選型指南與服務(wù)支持選型關(guān)鍵參數(shù)：

耐壓（VDS）：根據(jù)系統(tǒng)電壓選擇（如快充選30-100V,，光伏選650-1200V）,。導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：電流越大，需Rds(on)越?。?A以下選10mΩ，10A以上選＜5mΩ）,。

封裝形式：DFN（小型化）,、TOLL（散熱好）、SOIC（低成本）按需選擇,。增值服務(wù)：**樣品：提供AOS,、英飛凌、士蘭微主流型號(hào)樣品測(cè)試,。

方案設(shè)計(jì)：針對(duì)快充,、儲(chǔ)能等場(chǎng)景，提供參考電路圖與BOM清單（如65W氮化鎵快充完整方案）,?？煽啃员Ｕ希撼兄ZHTRB1000小時(shí)測(cè)試通過率＞99.9%，提供5年質(zhì)保,。

工業(yè)自動(dòng)化與機(jī)器人領(lǐng)域

在工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器中,，作為**開關(guān)元件，控制電機(jī)的精細(xì)運(yùn)行,，確保工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備的高精度運(yùn)轉(zhuǎn),，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，是工業(yè)自動(dòng)化的關(guān)鍵“執(zhí)行者”,。

在可編程邏輯控制器（PLC）中,，用于信號(hào)處理和數(shù)字電路的邏輯控制，提高系統(tǒng)響應(yīng)速度,，使工業(yè)控制系統(tǒng)更加智能,、高效。

在工業(yè)電源的高效轉(zhuǎn)換電路中廣泛應(yīng)用，支持工業(yè)設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行,，為工業(yè)生產(chǎn)提供可靠的電力保障,。

在風(fēng)力發(fā)電設(shè)備的變頻控制系統(tǒng)中，確保發(fā)電效率和穩(wěn)定性,，助力風(fēng)力發(fā)電事業(yè)的蓬勃發(fā)展,。 MOS 管用于汽車電源的降壓、升壓,、反激等轉(zhuǎn)換電路中,，實(shí)現(xiàn)對(duì)不同電壓需求的電子設(shè)備的供電嗎？

可變電阻區(qū)：當(dāng)柵極電壓VGS大于閾值電壓VTH時(shí),，在柵極電場(chǎng)的作用下,，P型襯底表面的空穴被排斥，而電子被吸引到表面,，形成了一層與P型襯底導(dǎo)電類型相反的N型反型層,，稱為導(dǎo)電溝道。此時(shí)若漏源電壓VDS較小,，溝道尚未夾斷,，隨著VDS的增加，漏極電流ID幾乎與VDS成正比增加,，MOS管相當(dāng)于一個(gè)受柵極電壓控制的可變電阻,，其電阻值隨著VGS的增大而減小。飽和區(qū)：隨著VDS的繼續(xù)增加,，當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS-VDS等于閾值電壓VTH時(shí),，漏極附近的反型層開始消失，稱為預(yù)夾斷,。此后再增加VDS,，漏極電流ID幾乎不再隨VDS的增加而增大，而是趨于一個(gè)飽和值,，此時(shí)MOS管工作在飽和區(qū),，主要用于放大信號(hào)等應(yīng)用。PMOS工作原理與NMOS類似,，但電壓極性和電流方向相反截止區(qū)：當(dāng)柵極電壓VGS大于閾值電壓VTH（PMOS的閾值電壓為負(fù)值）時(shí),，PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，源極和漏極之間沒有導(dǎo)電溝道,，沒有電流通過,。可變電阻區(qū)：當(dāng)柵極電壓VGS小于閾值電壓VTH時(shí),，在柵極電場(chǎng)作用下,，N型襯底表面形成P型反型層，即導(dǎo)電溝道。若此時(shí)漏源電壓VDS較小且為負(fù),，溝道尚未夾斷,，隨著|VDS|的增加，漏極電流ID（電流方向與NMOS相反）幾乎與|VDS|成正比增加,，相當(dāng)于一個(gè)受柵極電壓控制的可變電阻,，其電阻值隨著|VGS|的增大而減小MOS管在一些消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理、信號(hào)處理等方面有應(yīng)用嗎,？高科技MOS詢問報(bào)價(jià)

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于驅(qū)動(dòng)各種直流電機(jī),、交流電機(jī)，通過控MOS 管的導(dǎo)通和截止嗎,？IGBTMOS廠家現(xiàn)貨

杭州士蘭微電子（SILAN）作為國(guó)內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè),，在 MOS 管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累

技術(shù)優(yōu)勢(shì)：高集成、低功耗,、國(guó)產(chǎn)替代集成化設(shè)計(jì)：如SD6853/6854內(nèi)置高壓MOS管,，省去光耦和Y電容，簡(jiǎn)化電源方案（2011年推出,，后續(xù)升級(jí)至滿足能源之星標(biāo)準(zhǔn)）,。工藝迭代：0.8μmBiCMOS/BCD工藝（早期）、8英寸SiC產(chǎn)線（在建）,，提升產(chǎn)能與性能，F(xiàn)-Cell系列芯片面積縮小20%,，成本降低,。可靠性：柵源擊穿電壓優(yōu)化,，ESD能力＞±15kV（SD6853/6854）,，滿足家電、工業(yè)長(zhǎng)期穩(wěn)定需求,。國(guó)產(chǎn)替代：2022年**MOS管（如超結(jié),、車規(guī)級(jí)）訂單飽滿，供不應(yīng)求,，覆蓋消費(fèi)電子（手機(jī)充電器）,、白電（壓縮機(jī)）、新能源（充電樁）等領(lǐng)域,。 IGBTMOS廠家現(xiàn)貨