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空調(diào)傳感器線(xiàn)圈 氣動(dòng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-09-20

電渦流式傳感器,,將位移,、厚度、材料損傷等非電量轉(zhuǎn)換為電阻抗的變化(或電感,、Q值的變化),,從而進(jìn)行非電量的測(cè)量,。一、工作原理電渦流式傳感器由傳感器激勵(lì)線(xiàn)圈和被測(cè)金屬體組成,。根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律,,當(dāng)傳感器激勵(lì)線(xiàn)圈中通過(guò)以正弦交變電流時(shí),線(xiàn)圈周?chē)鷮a(chǎn)生正選交變磁場(chǎng),,是位于蓋磁場(chǎng)中的金屬導(dǎo)體產(chǎn)生感應(yīng)電流,,該感應(yīng)電流又產(chǎn)生新的交變磁場(chǎng)。新的交變磁場(chǎng)阻礙原磁場(chǎng)的變化,,使得傳感器線(xiàn)圈的等效阻抗發(fā)生變化,。傳感器線(xiàn)圈受電渦流影響時(shí)的等效阻抗Z為式中,ρ為被測(cè)體的電阻率,;μ為被測(cè)體的磁導(dǎo)率,;r為線(xiàn)圈與被測(cè)體的尺寸因子;f為線(xiàn)圈中激磁電流的頻率,;x為線(xiàn)圈與導(dǎo)體間的距離,。由此可見(jiàn),線(xiàn)圈阻抗的變化完全取決于被測(cè)金屬的電渦流效應(yīng),,分別與以上因素有關(guān),。如果只改變式中的一個(gè)參數(shù),保持其他參數(shù)不變,,傳感器線(xiàn)圈的阻抗Z就只與該參數(shù)有關(guān),,如果測(cè)出傳感器線(xiàn)圈阻抗的變化,就可以確定該參數(shù),。在實(shí)際應(yīng)用中,,通常是改變線(xiàn)圈與導(dǎo)體間的距離x,而保持其他參數(shù)不變,,來(lái)實(shí)現(xiàn)位移和距離測(cè)量,。二、等效電路討論電渦流式傳感器時(shí),。制作傳感器線(xiàn)圈的材料是什么,;空調(diào)傳感器線(xiàn)圈 氣動(dòng)

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    部分314、部分316,、部分318和部分320允許余弦定向線(xiàn)圈112覆蓋在pcb上,。然而,通孔306和pcb322的相對(duì)的兩側(cè)上的跡線(xiàn)302和跡線(xiàn)304的存在降低了由線(xiàn)圈104檢測(cè)到的信號(hào)的有效幅度,。有效地,,通孔306在發(fā)射線(xiàn)圈106和信號(hào)線(xiàn)圈104之間形成間隙距離,這本身對(duì)位置定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性有很大的影響,。這還與以下相結(jié)合:由于在pcb322的頂側(cè)和底側(cè)上都形成了信號(hào)線(xiàn)圈104的跡線(xiàn),,而導(dǎo)致的金屬目標(biāo)124和pcb322上的信號(hào)線(xiàn)圈104之間的有效氣隙的增加,。圖3b示出另一個(gè)關(guān)于對(duì)稱(chēng)性的問(wèn)題,其中,,發(fā)射線(xiàn)圈106與接收線(xiàn)圈104是不對(duì)稱(chēng)的,。在圖3b所示的情況下,接收線(xiàn)圈104不以發(fā)射線(xiàn)圈106為中心,,并且形成與接收線(xiàn)圈104和發(fā)射線(xiàn)圈106的連接的跡線(xiàn)也不對(duì)稱(chēng),。圖3c示出由發(fā)射線(xiàn)圈106生成的磁場(chǎng)強(qiáng)度的不均勻性。如圖3c所示,,發(fā)射線(xiàn)圈106的兩條跡線(xiàn)位于圖上的位置0和位置5處,,而接收線(xiàn)圈104被定位在位置0和位置5之間。圖3c示出這些跡線(xiàn)之間的磁場(chǎng)在兩條跡線(xiàn)之間具有小值,。圖3c沒(méi)有示出由于連接圖3c中所示的兩條跡線(xiàn)并且垂直于圖3c中所示的跡線(xiàn)的兩條跡線(xiàn)而引起的另外的變形(distortion),。圖3d和圖3e還示出可能由發(fā)射線(xiàn)圈106中的位移引起的不準(zhǔn)確性。如圖3d和圖3e所示,,發(fā)射線(xiàn)圈106包括位移330,。空調(diào)傳感器線(xiàn)圈 氣動(dòng)傳感器線(xiàn)圈的注意事項(xiàng)是什么,?

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    正弦定向接收器線(xiàn)圈906包括阱908和阱912,,并且被連接到引線(xiàn)924。類(lèi)似地,,余弦定向接收器線(xiàn)圈904包括阱910和阱914,并且被耦合到引線(xiàn)926,。pcb還可以具有安裝孔918,。圖9a示出線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的平面圖,而圖9b示出線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的斜視圖,,其示出在其上形成線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的pcb板的兩側(cè)上的通孔和跡線(xiàn),。圖9c示出印刷電路板930上的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的平面圖。此外,,被耦合到引線(xiàn)920,、引線(xiàn)924和引線(xiàn)926的控制電路932被安裝在電路板930上。圖9d示出類(lèi)似于在定位系統(tǒng)400中使用的實(shí)際位置的實(shí)際位置與在例如算法700的步驟704中通過(guò)使用rx電壓通過(guò)仿真重構(gòu)的位置之間的百分比誤差,。如圖9d所示,,在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900之后,理論結(jié)果與仿真結(jié)果之間的百分比誤差小于%,。圖9e示出在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900之后的實(shí)際角位置和仿真角位置,。圖6也示出在已經(jīng)應(yīng)用線(xiàn)性化算法之后經(jīng)優(yōu)化的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的全標(biāo)度誤差的百分比。在該標(biāo)度下,,誤差小于%fs,。本發(fā)明的實(shí)施例包括:仿真步驟704,,其仿真位置定位系統(tǒng)線(xiàn)圈設(shè)計(jì)的響應(yīng);以及,,線(xiàn)圈設(shè)計(jì)調(diào)整算法712,,其使用所仿真的響應(yīng)來(lái)調(diào)整線(xiàn)圈設(shè)計(jì)以獲得更好的準(zhǔn)確性。如上所述,,位置傳感器遭受許多非理想性,。首先,tx線(xiàn)圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)高度不均勻,。

    這些步進(jìn)電機(jī)提供目標(biāo)的4軸運(yùn)動(dòng),,即x、v,、z以及繞z軸的旋轉(zhuǎn),。這樣,如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內(nèi)的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線(xiàn)圈上方的金屬目標(biāo)408,,以產(chǎn)生不同的氣隙,。如前所述,氣隙是金屬目標(biāo)408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線(xiàn)圈和接收線(xiàn)圈的pcb之間的距離,。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準(zhǔn),、線(xiàn)性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線(xiàn)圈106和接收線(xiàn)圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標(biāo)408的掃描,。如圖4c所示,,金屬目標(biāo)408在接收器線(xiàn)圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當(dāng)如圖4c所示地掃描金屬目標(biāo)408時(shí)從接收器線(xiàn)圈104測(cè)量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結(jié)果的比較的示例,。在圖4d的特定示例中,,金屬目標(biāo)408在50個(gè)位置被掃描。十字表示樣本電壓,,實(shí)線(xiàn)表示由電磁場(chǎng)求解程序cdice-bim所仿真的值,。位置定位器系統(tǒng)410的準(zhǔn)確度可以被定義為在金屬目標(biāo)408從初始位置掃描到結(jié)束位置期間的位置的測(cè)量與該掃描的預(yù)期理想曲線(xiàn)之間的差。該結(jié)果以相對(duì)于全標(biāo)度的百分比表示,,如圖5所示,。在圖5中,pos0是來(lái)自位置定位系統(tǒng)410的測(cè)量值,,并且輸出擬合是理想曲線(xiàn),。pos0是從控制器402的寄存器測(cè)量的值,而fs是全標(biāo)度的值,。例如,。傳感器線(xiàn)圈哪家專(zhuān)業(yè),無(wú)錫東英電子有限公司值得信賴(lài),,期待您的來(lái)電,!

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圖2b示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線(xiàn)圈112和余弦定向線(xiàn)圈110處于90°位置,。如圖2b所示,在正弦定向線(xiàn)圈112中,,金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116,,并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果,,vc=1/2,、vd=0、以及ve=1/2,,因此vsin=vc+vd+ve=1,。類(lèi)似地,在余弦定向線(xiàn)圈110中,,環(huán)路120的一半被覆蓋,,導(dǎo)致va=-1/2,并且環(huán)路122的一半被覆蓋,,導(dǎo)致vb=1/2,。因此,由va+vb給出的vcos為0,。類(lèi)似地,,圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線(xiàn)圈112和余弦定向線(xiàn)圈110處于180°位置。因此,,正弦定向線(xiàn)圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋,,而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va=-1,、vb=0,、vc=1/2、vd=-1/2,、以及ve=0。結(jié)果,,vsin=0且vcos=-1,。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線(xiàn)圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線(xiàn)圖,。如圖2d所示,,可以通過(guò)處理vcos和vsin的值來(lái)確定角位置。如圖所示,,通過(guò)從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描,,將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線(xiàn)圈104的角位置可以根據(jù)來(lái)自正弦定向線(xiàn)圈112的vsin和余弦定向線(xiàn)圈110的vcos的值來(lái)確定,,如圖2e所示,。無(wú)錫東英電子有限公司傳感器線(xiàn)圈,;外殼傳感器線(xiàn)圈廠(chǎng)家供貨

傳感器線(xiàn)圈的線(xiàn)圈在長(zhǎng)時(shí)間使用后可能會(huì)發(fā)生老化??照{(diào)傳感器線(xiàn)圈 氣動(dòng)

二)磁場(chǎng)的強(qiáng)度在近房間中心的磁場(chǎng)強(qiáng)度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比,,與回路的直徑成反比例。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(IEC60118—4,,BS7594)指出:一個(gè)磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率值應(yīng)為100mA/m(指每米毫安培),。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi),,距離地板1.2米時(shí)測(cè)得的磁場(chǎng)垂直面上的強(qiáng)度,。允許在言語(yǔ)中出現(xiàn)達(dá)到400mA/m的強(qiáng)度峰值、頻率范圍應(yīng)當(dāng)覆蓋100Hz—5kHz,。在回路中心的直徑a米,,有n周?chē)@的回路其磁場(chǎng)強(qiáng)度可以用下式計(jì)算:H是磁場(chǎng)的強(qiáng)度,用每米毫安培表示,,I是電流值的均方根,,用安培表示、對(duì)一個(gè)正方形的回路,,大小用a米表示,,其磁場(chǎng)強(qiáng)度要比計(jì)算的值少10%。如果磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率強(qiáng)度要達(dá)到100mA/m,,則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m),,這樣可以避免在更大強(qiáng)度的言語(yǔ)聲音中產(chǎn)生過(guò)多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到,,感應(yīng)回路線(xiàn)圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場(chǎng)的的一條電線(xiàn),,所有建筑中的電線(xiàn)都會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng),因此,,助聽(tīng)器不僅能收到語(yǔ)音信號(hào),,也可以接收到其他磁場(chǎng)信號(hào),如50Hz的電源電壓信號(hào)等,。在布線(xiàn)的時(shí)候要充分考慮到干擾源的問(wèn)題,。如果音頻磁場(chǎng)太弱,信噪比就不夠大,。提高信號(hào)發(fā)射功率,,可以干擾。在一些體積較小的助聽(tīng)器中(其線(xiàn)圈亦小),??照{(diào)傳感器線(xiàn)圈 氣動(dòng)