PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷,。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,，2.門極伏安特性區(qū),。(5)應在額定參數(shù)范圍內使用可控硅,。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。松江區(qū)制造可控硅設計

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,，夾子壓接、螺栓固定和鉚接,。前二種方法的安裝工具很容易取得,。 很多場合下，鉚接不是一種推薦的方法,。 [1]夾子壓接：是推薦的方法,，熱阻**小,。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（sot82 和sot78 ） 和絕緣封裝（ sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack）,。注意,，sot78 就是to220ab。螺栓固定：sot78 組件帶有m3 成套安裝零件,，包括矩形墊圈,，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應該不對器件的塑料體施加任何力量,。靜安區(qū)推廣可控硅售價其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結,，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向導通狀態(tài)。

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。可控硅開關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結溫有關，結溫越高,， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù),。此值超限將可能導致可控硅出現(xiàn)誤導通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容。 對負載小,，或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作。 但大部分情況下,，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂,。其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。金山區(qū)質量可控硅貨源充足

大,；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路,。像可調壓輸出直流電源等等。松江區(qū)制造可控硅設計

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的,，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件,。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意,。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開關：ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。雙 向：Bi-directional(取***個字母)松江區(qū)制造可控硅設計

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