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晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3),。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),,通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上,。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,,陰極K接電源的負(fù)極,,控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,,若采用KP5型,應(yīng)接在3V直流電源的正極),。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,,也就是說(shuō),給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開(kāi)關(guān)S,,小燈泡不亮,說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通,;再按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,,給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,,說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了,。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。松江區(qū)制造可控硅專賣店
五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅,。(六)過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),,導(dǎo)通可控硅,。(七)非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā),,即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),,來(lái)改變輸出百分比。按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》,。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:松江區(qū)制造可控硅專賣店小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A,。
測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通) [1],。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),,因此,,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好,。另外,,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。
4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),,可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,,控制極斷路,,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等可控硅有多種分類方法,。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅(GTO),、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。,。可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,,等等,。可控硅的主要參數(shù)有:1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),,陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),,必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅,。黃浦區(qū)質(zhì)量可控硅銷售廠
按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。松江區(qū)制造可控硅專賣店
1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,,如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT,并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,,則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時(shí),首先要使柵極外的連線盡可能短,。當(dāng)連線不能很短時(shí),,可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度,,也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容,,來(lái)濾掉高頻噪聲。2,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),,在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),,雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,,但由于相移的關(guān)系,電壓將不會(huì)是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓,。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。松江區(qū)制造可控硅專賣店
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