實(shí)驗(yàn)及結(jié)果根據(jù)以上分析,，本文設(shè)計(jì)一臺(tái)基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V,，最大輸出功率為25W,，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負(fù)載;RC時(shí)間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2,。電路的實(shí)驗(yàn)波形和工作特性曲線如圖4所示,。圖4a),、b)、c)為可控硅導(dǎo)通角為115°時(shí)阻抗匹配開關(guān)驅(qū)動(dòng)電壓VZ,、輸入電流Iin,、輸入電壓Vin的波形，電路的輸出電流為470mA,，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出,，當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間,，由于驅(qū)動(dòng)器輸入端有差模濾波電容導(dǎo)致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當(dāng)輸入電流小于一定值時(shí),，阻抗匹配開關(guān)開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流,。MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間,。奉賢區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。金山區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路：使用MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為開關(guān)元件,，適用于高效能的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí),，必須考慮下列細(xì)節(jié)：· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG,。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值?！?驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流,?！?驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中,，給出了每脈沖的比較大輸出電荷,，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。

這樣一來(lái),，輸出高低電平時(shí),，T3 一路和 T4 一路將交替工作，從而減低了功耗,，提高了每個(gè)管的承受能力,。又由于不論走哪一路，管子導(dǎo)通電阻都很小,，使 RC 常數(shù)很小,，轉(zhuǎn)變速度很快。因此,，推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,，又提高開關(guān)速度。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制,，總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止,。要實(shí)現(xiàn)線與需要用 OC（open collector）門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場(chǎng)合,，廣泛應(yīng)用于功放電路和開關(guān)電源中,。物理意義：指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如,，汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn),。

IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V,。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng),，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度,，減小關(guān)斷損耗,。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列,、富士公司的EXB系列,、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五,、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備,；也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備,。隔離型驅(qū)動(dòng)電路：包含光耦、變壓器,、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動(dòng)電路,。崇明區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，以控制液晶顯示屏,、LED顯示屏等顯示設(shè)備,；奉賢區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,，開關(guān)器件通斷快,，開關(guān)損耗小,；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大,。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作,，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二、柵極電阻的選取1,、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,，柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異。初試可如下選?。翰煌放频腎GBT模塊可能有各自的特定要求,，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試。2,、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定,，一般來(lái)說(shuō)柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。奉賢區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

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