主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA，JX ,，SANREX,，SANKEN ，SEMIKRON ,，EUPEC,，IR，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門(mén)極觸發(fā)電流VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門(mén)極峰值功率PG----門(mén)極平均功率它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。普陀區(qū)國(guó)產(chǎn)可控硅售價(jià)

設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門(mén)極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化,。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,，而門(mén)極未受電壓的情況下，式（1—1）中,，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。奉賢區(qū)優(yōu)勢(shì)可控硅服務(wù)熱線額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。

這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。5、關(guān)于連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM的最大值,，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈,，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2],。

耐壓級(jí)別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。 選用時(shí)，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,，作為允許的操作過(guò)電壓裕量,。 [1]·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí)， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。

我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d)，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,，但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠，因此在實(shí)際使用時(shí),，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。奉賢區(qū)優(yōu)勢(shì)可控硅服務(wù)熱線

在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。普陀區(qū)國(guó)產(chǎn)可控硅售價(jià)

控 制：Controlled(取***個(gè)字母)整流器：Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12,、BCR8KM,、BCR08AM等等。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來(lái)命名雙向可控硅,。普陀區(qū)國(guó)產(chǎn)可控硅售價(jià)

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己,，要求自己,，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,，在上海市等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力,，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度,，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同祥盛芯城供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái),，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,，我們將以更好的狀態(tài),，更認(rèn)真的態(tài)度,，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏,，去努力,，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！