晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號,。它屬于NPNP四層器件，三個電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1,、T2。表示,，不再劃分成陽極或陰極,。其特點是，當(dāng)G極和T2極相對于T1,，的電壓均為正時,，T2是陽極，T1是陰極,。反之,，當(dāng)G極和T2極相對于T1的電壓均為負(fù)時，T1變成陽極,，T2為陰極,。雙向晶閘管的伏安特性，由于正,、反向特性曲線具有對稱性,，所以它可在任何一個方向?qū)ā７聪蛑貜?fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。浦東新區(qū)國產(chǎn)可控硅售價

這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5,、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通,。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通,。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2],。松江區(qū)制造可控硅量大從優(yōu)雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時,，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時,，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容,，來濾掉高頻噪聲,。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動一個大的電感性負(fù)載時,，在負(fù)載電壓和電流間有一個很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個電壓,。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。

4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。,。反應(yīng)極快,，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷,；無觸點運行,，無火花、無噪音,；效率高,，成本低等等。

安裝過程中,，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,，因為擠壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩?zé)o法控制,，也是這種安裝方法的缺點,；器件應(yīng)首先機(jī)械固定，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不反復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,。金山區(qū)推廣可控硅貨源充足

其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。浦東新區(qū)國產(chǎn)可控硅售價

當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。浦東新區(qū)國產(chǎn)可控硅售價

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