溫始地送風(fēng)風(fēng)盤 —— 革新家居空氣享受的藝術(shù)品
溫始·未來生活新定義 —— 智能調(diào)濕新風(fēng)機(jī)
秋季舒適室內(nèi)感,五恒系統(tǒng)如何做到,?
大眾對五恒系統(tǒng)的常見問題解答?
五恒空調(diào)系統(tǒng)基本概要
如何締造一個舒適的室內(nèi)生態(tài)氣候系統(tǒng)
舒適室內(nèi)環(huán)境除濕的意義
暖通發(fā)展至今,,怎樣選擇當(dāng)下產(chǎn)品
怎樣的空調(diào)系統(tǒng)ZUi值得你的選擇,?
五恒系統(tǒng)下的門窗藝術(shù):打造高效節(jié)能與舒適并存的居住空間
主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,,NEC,,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,,LITTELFUSE/TECCOR,,TOSHIBA,JX ,,SANREX,,SANKEN ,SEMIKRON ,,EUPEC,IR,,JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路,。奉賢區(qū)特點(diǎn)可控硅量大從優(yōu)
可控硅有多種分類方法,。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅(GTO),、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種,;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,,而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。奉賢區(qū)通用可控硅服務(wù)熱線在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,,允許通過陰極和陽極的電流平均值,。
無觸點(diǎn)開關(guān)可控硅一個關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān)。在自動化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其***特點(diǎn)是無噪音,壽命長,。可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,,無論所加電壓極性是正向還是反向,,只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,,即使失去觸發(fā)電壓,,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1,、第二陽極A2電流減小,,小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,,雙向可控硅才截?cái)?,此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。
⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),,俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,,允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,,VS仍然不能導(dǎo)通,,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,,晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,,用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等可控硅有多種分類方法,。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅(GTO),、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。,??煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ巍⑵桨逍魏推降仔?。崇明區(qū)優(yōu)勢可控硅現(xiàn)價
可控硅承受的正向電壓峰值,,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。奉賢區(qū)特點(diǎn)可控硅量大從優(yōu)
通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,,應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,,它與結(jié)溫有關(guān),,結(jié)溫越高, 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,,這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容,。 對負(fù)載小,或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,, 可在自由空間工作,。 但大部分情況下,需要安裝在散熱器或散熱的支架上,,為了減小熱阻,,可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。奉賢區(qū)特點(diǎn)可控硅量大從優(yōu)
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