二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極,，由P區(qū)引出的電極是正極,，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極,，又叫陰極,。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示,。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,，在其界面處兩側形成空間電荷層,，并建有自建電場。當不存在外加電壓時,，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),。由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極,。閔行區(qū)制造二極管貨源充足

瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS,，按照測量普通二極管的方法，可測出其正,、反向電阻,，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大,。 [8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管,，任意調換紅,、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則,，說明管子性能不良或已經損壞,。 [8]高頻變阻二極管識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標顏色不同,，普通二極管的色標顏色一般為黑色,，而高頻變阻二極管的色標顏色則為淺色。其極性規(guī)律與普通二極管相似,，即帶綠色環(huán)的一端為負極,，不帶綠色環(huán)一端為正極。 [8]長寧區(qū)特點二極管售價一般硅管的反向電流比鍺管小得多,，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級,，小功率鍺管在μA數量級。

它們在反向電壓作用下參加漂移運動,，使反向電流明顯變大，光的強度越大,，反向電流也越大,。這種特性稱為“光電導”。光敏二極管在一般照度的光線照射下,，所產生的電流叫光電流,。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號,，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化,。光敏二極管是電子電路中***采用的光敏器件。光敏二極管和普通二極管一樣具有一個PN結,，不同之處是在光敏二極管的外殼上有一個透明的窗口以接收光線照射,，實現(xiàn)光電轉換，在電路圖中文字符號一般為VD,。 [1]

一般硅管的反向電流比鍺管小得多,，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級,。溫度升高時,，半導體受熱激發(fā)，少數載流子數目增加,，反向飽和電流也隨之增加,。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大,，這種現(xiàn)象稱為電擊穿,。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓,。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,，則單向導電性不一定會被長久破壞,，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復,，否則二極管就損壞了,。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。N型半導體形成的原理和P型原理相似,。在本征半導體中摻入五價原子,，如磷等。

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況,。在高摻雜濃度的情況下,，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時,，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構,，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對,，致使電流急劇增大,，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,，勢壘區(qū)寬度較寬,，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿,。當反向電壓增加到較大數值時,，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞,，把價電子撞出共價鍵,，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,，載流子雪崩式地增加,，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿,。無論哪種擊穿,，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞,。 [5]外加反向電壓不超過一定范圍時,，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。長寧區(qū)國產二極管量大從優(yōu)

面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流,，也能承受較高的反向電壓,，適宜在整流電路中使用。閔行區(qū)制造二極管貨源充足

高亮度單色發(fā)光二極管高亮度單色發(fā)光二極管和超高亮度單色發(fā)光二極管使用的半導體材料與普通單色發(fā)光二極管不同,，所以發(fā)光的強度也不同,。通常，高亮度單色發(fā)光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料,，超高亮度單色發(fā)光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料,，而普通單色發(fā)光二極管使用磷化鎵（GaP）或磷砷化鎵（GaAsP）等材料。變色發(fā)光二極管變色發(fā)光二極管是能變換發(fā)光顏色的發(fā)光二極管,。變色發(fā)光二極管發(fā)光顏色種類可分為雙色發(fā)光二極管,、三色發(fā)光二極管和多色（有紅、藍,、綠,、白四種顏色）發(fā)光二極管。閔行區(qū)制造二極管貨源充足

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