1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。接通電源開(kāi)關(guān)S,，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。楊浦區(qū)挑選可控硅服務(wù)熱線

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱(chēng)“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此頻率,，因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、無(wú)噪音,；效率高，成本低等等,?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。楊浦區(qū)國(guó)產(chǎn)可控硅貨源充足在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。

式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后,，門(mén)極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降,，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅,，就可以構(gòu)成可控整流電路。我畫(huà)一個(gè)**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,。額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通） [1],?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò),，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好,。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,。楊浦區(qū)國(guó)產(chǎn)可控硅貨源充足

反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、無(wú)噪音,；效率高，成本低等等,。楊浦區(qū)挑選可控硅服務(wù)熱線

1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí),，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來(lái)濾掉高頻噪聲,。2,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),，雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓,。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。楊浦區(qū)挑選可控硅服務(wù)熱線

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