Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E，然后再計算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣,，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）驅動集成芯片：在數字電源中應用,，許多驅動芯片自帶保護和隔離功能。寶山區(qū)制造驅動電路生產企業(yè)

光耦的特點光耦基本電路1. 參數設計簡單2. 輸出端需要隔離驅動電源3. 驅動功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號時—調制/解調磁耦合的特點:1.既可傳遞信號又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應用比較好驅動特性和驅動電流波形比較好驅動1.開通時： 基極電流有快速上升沿和過沖—加速開通,，減小開通損耗,；2.導通期間：足夠的基極電流,，使晶體管任意負載飽和導通—低導通損耗；關斷前調整基極電流,，使晶體管處于臨界飽和導通—減小 ,， 關斷快;寶山區(qū)制造驅動電路生產企業(yè)根據具體的應用場景和需求，還有推挽驅動,、隔離驅動,、加速關斷驅動等多種設計方案。

如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認為Cin=2.2Cies,，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅動器時,，必須考慮下列細節(jié)：· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG,。驅動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值?！?驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流,。· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電,。在POWER-SEM 驅動器的數據表中,，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮,。傳感器檢測到的物理量（如溫度,、壓力等）可以通過驅動電路轉換為電信號，以便進行后續(xù)處理和分析,。

IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性,。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進行電導調制,，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路,。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用,，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要,。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞,。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。優(yōu)良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗,，提高能量轉換效率,，并降低電磁干擾（EMI/EMC）。楊浦區(qū)好的驅動電路現(xiàn)價

驅動電路是用于控制和驅動其他電路或設備的電路,。寶山區(qū)制造驅動電路生產企業(yè)

實驗及結果根據以上分析,，本文設計一臺基于反激變換器的可控硅調光LED驅動器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V,，最大輸出功率為25W,，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負載;RC時間系數選擇0.5，增益為0.2,。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示,。圖4a)、b),、c)為可控硅導通角為115°時阻抗匹配開關驅動電壓VZ,、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形,，電路的輸出電流為470mA,，功率因數為0.78。從圖中可看出,，當可控硅導通瞬間,，由于驅動器輸入端有差模濾波電容導致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當輸入電流小于一定值時,，阻抗匹配開關開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流,。寶山區(qū)制造驅動電路生產企業(yè)

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