⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。嘉定區(qū)特點可控硅售價

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,，雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,，我們稱為正向電壓,，并用符號U21表示。當(dāng)這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時,，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,，叫做反向電壓，并用符號U12表示,。當(dāng)這個電壓達到轉(zhuǎn)折電壓值時,，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通，這時的電流為I12,，其方向是從T1到T2,。這時雙向可控硅的特性曲線，如圖4中第三象限所示,。嘉定區(qū)特點可控硅售價可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時,，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,。

晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號,。它屬于NPNP四層器件，三個電極分別是T1,、T2,、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1、T2,。表示,，不再劃分成陽極或陰極。其特點是,，當(dāng)G極和T2極相對于T1,，的電壓均為正時，T2是陽極,，T1是陰極,。反之，當(dāng)G極和T2極相對于T1的電壓均為負時,，T1變成陽極,，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性,，由于正,、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向?qū)?。圖4示出了雙向可控硅的特性曲線,。

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。嘉定區(qū)特點可控硅售價

雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。嘉定區(qū)特點可控硅售價

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志,，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由嘉定區(qū)特點可控硅售價

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