當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。黃浦區(qū)優(yōu)勢可控硅貨源充足

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿。青浦區(qū)國產(chǎn)可控硅設(shè)計大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）,。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極,，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型,，應(yīng)接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關(guān)S,，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通,；再按一下按鈕開關(guān)SB,，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓,，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了,。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù),。此值超限將可能導致可控硅出現(xiàn)誤導通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容。 對負載小,，或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作。 但大部分情況下,，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,。實際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等,?？煽毓韬推渌雽w器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運輸,、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。上海制造可控硅圖片

鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。黃浦區(qū)優(yōu)勢可控硅貨源充足

PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓,。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關(guān)斷,。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅,。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。黃浦區(qū)優(yōu)勢可控硅貨源充足

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