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    本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法,。背景技術(shù)：采用iii-v族化合物制作的半導體器件和超高速數(shù)字/數(shù)?；旌想娐返葢{借其優(yōu)良的頻率特性，已經(jīng)成為通訊,、雷達,、制導、空間防御,、高速智能化武器及電子對抗等現(xiàn)代化裝備的部件之一,。在眾多的iii-v族化合物中，inp(磷化銦)化合物具有獨特的優(yōu)勢,，這主要得益于其優(yōu)良的材料特性,，例如,，inp和ingaas(銦鎵砷)之間的晶格失配很小,，以及電子飽和速率很高等，所以不論是hemt(highelectronmobilitytransistor,，高電子遷移率晶體管)結(jié)構(gòu)還是hbt(heterojunctionbipolartransistor,，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)結(jié)構(gòu)，都具有非常優(yōu)異的高頻,、大功率性能,。但是，inp材料的物理性能卻很差,，非常易碎,，很小的碰撞或振動都會導致晶圓碎裂而前功盡棄，因此,，inp材料的制造加工面臨著很多工藝上的難題,。尤其是在超高頻率、大功率的inp基rfic(射頻集成電路)的制造工藝中,，如何在對inp基晶圓進行減薄拋光時,，減小或避免inp基晶圓的損傷是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此,，本發(fā)明提供了一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法,，以減小或避免inp基晶圓的減薄拋光損傷。為實現(xiàn)上述目的,。池州什么是減薄用清洗劑廠家現(xiàn)貨去除多余涂層,，減薄用清洗劑是您不可或缺的好幫手。

    經(jīng)減薄處理后的玻璃可再次進入所述沖洗區(qū)2以經(jīng)歷減薄后清潔并且通過所述轉(zhuǎn)換區(qū)1被卸載到外部,；所述玻璃減薄設備還設置有制動組件,，通過所述制動組件實現(xiàn)所述玻璃加工治具4從所述轉(zhuǎn)換區(qū)1經(jīng)所述沖洗區(qū)2向所述蝕刻區(qū)3的減薄前移動，以及從所述蝕刻區(qū)3經(jīng)所述沖洗區(qū)2向所述轉(zhuǎn)換區(qū)1的減薄后移動。在本實施例中,，圖1內(nèi)并排設置有2個所述玻璃減薄設備,，所述沖洗區(qū)2包括沖洗區(qū)2、第二沖洗區(qū)2和第三沖洗區(qū)2,，所述第二沖洗區(qū)2設置于所述沖洗區(qū)2和所述第三沖洗區(qū)2之間,，所述沖洗區(qū)2設置于所述第二沖洗區(qū)2和所述轉(zhuǎn)換區(qū)1之間，所述第三沖洗區(qū)2設置于所述第二沖洗區(qū)2和所述蝕刻區(qū)3之間,。所述轉(zhuǎn)換區(qū)1可升降的折疊式結(jié)構(gòu),，從而便于所述玻璃加工治具4在所述轉(zhuǎn)換區(qū)1的放置或卸下。較佳的,，所述轉(zhuǎn)換區(qū)1還設置有裝卸臂,，通過所述裝卸臂可實現(xiàn)對所述玻璃加工治具4的上下料，以及單片玻璃的拿取檢測,。實施例二如圖2所示,，圖2為所述蝕刻區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；所述蝕刻區(qū)3包括腔室31,、主厚度測量儀32,、噴淋組件33和控制器；所述噴淋組件33在所述腔室31中對設置于所述玻璃加工治具4上的玻璃施加減薄處理,，所述主厚度測量儀32實時測量在所述腔室31內(nèi)經(jīng)歷減薄處理的玻璃厚度,。

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