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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力,，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料,，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕,。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻,，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅,。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小,，集成度越來越高,，對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性,、蝕刻殘留,、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻時,，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象,，體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異,。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題,，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液,。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類,、％的表面活性劑,。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液,。

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