原料準(zhǔn)備
主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂,、聚酰亞胺等）,、感光劑（光引發(fā)劑或光敏化合物,，如重氮萘醌,、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分,，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））,、添加劑（調(diào)節(jié)粘度,、感光度,、穩(wěn)定性等,，如表面活性劑,、穩(wěn)定劑）,。
原料提純：對樹脂,、感光劑等進(jìn)行高純度精制（純度通常要求99.9%以上）,，避免雜質(zhì)影響光刻精度。
配料與混合
按配方比例精確稱量各組分,，在潔凈環(huán)境，如萬中通過攪拌機(jī)均勻混合,，形成膠狀溶液,。
控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度,，避免氣泡產(chǎn)生或成分分解,。
過濾與純化
使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾，去除顆粒雜質(zhì)（如金屬離子,、灰塵）,，確保膠液潔凈度,，避免光刻時(shí)產(chǎn)生缺陷,。
性能檢測
物理指標(biāo)：粘度,、固含量,、表面張力,、分子量分布等,，影響涂布均勻性。
化學(xué)指標(biāo)：感光度,、分辨率,、對比度,、耐蝕刻性,，通過曝光實(shí)驗(yàn)和顯影測試驗(yàn)證,。
可靠性：存儲穩(wěn)定性（常溫/低溫保存下的性能變化）,、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）。
包裝與儲存
在惰性氣體（如氮?dú)猓┉h(huán)境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐）,，防止感光劑氧化或光分解,。
儲存條件：低溫（5-10℃）,、避光,、干燥，部分產(chǎn)品需零下環(huán)境（如EUV光刻膠）,。
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化學(xué)反應(yīng)：
正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解,，生成羧酸,，在堿性顯影液中溶解,；
負(fù)性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),。
5. 顯影（Development）
顯影液：
正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH）,，溶解曝光區(qū)域；
負(fù)性膠：有機(jī)溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯）,，溶解未曝光區(qū)域,。
方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體）,，時(shí)間30秒-2分鐘,，需控制顯影液濃度和溫度,。
6. 后烘（Post-Bake）
目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性,。
條件：
溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高,，如180℃）,；
時(shí)間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長）。
7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）
蝕刻：以膠膜為掩膜,，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬,、玻璃）；
離子注入：膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域,，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）。
8. 去膠（Strip）
方法：
濕法去膠：強(qiáng)氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機(jī)溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）,；
干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域,，無殘留）。
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吉田半導(dǎo)體水性感光膠 JT-1200：水油兼容，鋼片加工精度 ±5μm
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針對汽車電子鋼片加工需求,，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 JT-1200 水性感光膠實(shí)現(xiàn)水油兼容性達(dá) 100%,，加工精度 ±5μm,。其高粘接強(qiáng)度與耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿特性,，確保復(fù)雜結(jié)構(gòu)的長期可靠性。其涂布性能優(yōu)良,，易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)，適用于安全氣囊傳感器,、車載攝像頭模組等精密部件,。產(chǎn)品通過 IATF 16949 汽車行業(yè)認(rèn)證，生產(chǎn)過程嚴(yán)格控制金屬離子含量,，確保電子產(chǎn)品可靠性。
關(guān)鍵工藝流程
涂布：
在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整）,，需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
加熱（80-120℃）去除溶劑,，固化膠膜,，增強(qiáng)附著力（避免顯影時(shí)邊緣剝離）,。
曝光：
光源匹配：
G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB,、LCD）。
DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-14nm制程,，如存儲芯片）。
EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程,，需控制納米級缺陷）,。
曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm），避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真,。
顯影：
采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨,，TMAH），曝光區(qū)域膠膜溶解,，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案,。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
化學(xué)增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng),，提高分辨率和耐蝕刻性。
正性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景,。
吉田半導(dǎo)體獲評 "專精特新" 企業(yè)，行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),，以技術(shù)創(chuàng)新與標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)為,，吉田半導(dǎo)體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號,，樹立行業(yè),。
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企業(yè)定位與資質(zhì)
成立背景：深耕半導(dǎo)體材料行業(yè)23年，位于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),，注冊資本2000萬元,，是國家高新技術(shù)企業(yè),、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
質(zhì)量體系：通過ISO9001:2008認(rèn)證,，嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理,，原材料源自美國,、德國、日本等國,，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性,。
市場布局：產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球，與世界500強(qiáng)企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長期合作關(guān)系,，覆蓋集成電路,、顯示面板、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域,。
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企業(yè)優(yōu)勢
研發(fā)能力：擁有多項(xiàng)專利證書,，自主研發(fā)芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品,，配備全自動化生產(chǎn)設(shè)備,，具備從材料合成到成品制造的全流程能力。
產(chǎn)能與品控：采用進(jìn)口原材料和嚴(yán)格制程管控,，確保金屬雜質(zhì)含量低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如半導(dǎo)體光刻膠金屬雜質(zhì)<5ppb）,，良率達(dá)99%以上,。
