定義與特性
負(fù)性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形,。與正性光刻膠相比，其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng),、工藝簡單,、成本低，但分辨率較低（通�,！�1μm）,，主要應(yīng)用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。
化學(xué)組成與工作原理
主要成分
基體樹脂：
早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主,，目前常用環(huán)化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯,，提供膠膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐蝕刻性。
光敏劑：
主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物,，占比約5%-10%,，吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)。
交聯(lián)劑：
如六亞甲基四胺（烏洛托品）,，在曝光后與樹脂發(fā)生交聯(lián),，形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
溶劑：
多為有機(jī)溶劑（如二甲苯,、環(huán)己酮）,，溶解樹脂和光敏劑，涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜,。
工作原理
曝光前：光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹脂中,，膠膜可溶于顯影液（有機(jī)溶劑）。
曝光時：
光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產(chǎn)生活性自由基,，引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂分子間的共價(jià)鍵交聯(lián),，使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
顯影后：
未曝光區(qū)域的樹脂因未交聯(lián),，被顯影液溶解去除,，曝光區(qū)域保留，形成負(fù)性圖案（與掩膜版相反）,。
厚板光刻膠 JT-3001,，抗深蝕刻，PCB 電路板制造Preferred,！沈陽正性光刻膠
主要優(yōu)勢：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),，實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如,，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達(dá)3μm,，適用于MEMS傳感器,、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國內(nèi)空白,。
技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂,、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級,，金屬離子含量低于0.1ppb,，良率超99%,。
產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠,、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系,。例如：
LCD光刻膠：適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術(shù)，與京東方,、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品,，良率提升至98%。
半導(dǎo)體錫膏：供應(yīng)華為,、OPPO等企業(yè),，年采購量超200噸，用于5G手機(jī)主板封裝,。
技術(shù)化延伸：計(jì)劃2025年啟動半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),，目標(biāo)進(jìn)入中芯國際、長江存儲供應(yīng)鏈,。
質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理，原材料采用美,、德,、日進(jìn)口高質(zhì)量材料。擁有全自動化生產(chǎn)線,，年產(chǎn)能達(dá)2000噸（光刻膠及配套材料）,，支持大規(guī)模訂單交付。
沈陽正性光刻膠半導(dǎo)體芯片制造,，用于精細(xì)電路圖案光刻，決定芯片性能與集成度,。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領(lǐng)域,。
厚板光刻膠 JT - 3001：具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),，保質(zhì)期 1 年,，適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景，如一些特殊的電路板制造,。
SU - 3 負(fù)性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好,，曝光靈敏度高，光源適應(yīng),。重量為 100g,，常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域,。
液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,，具有優(yōu)異的分辨率，準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好,。主要應(yīng)用于液晶平板顯示器的制造,，能滿足其對光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求。
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠：耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,，耐高溫達(dá) 250°C,，長期可靠性高，粘接強(qiáng)度高,。重量 100g,，適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝，如一些半導(dǎo)體器件的制造,。
研發(fā)投入
擁有自己實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì),，研發(fā)費(fèi)用占比超15%，聚焦EUV光刻膠前驅(qū)體,、低缺陷納米壓印膠等前沿領(lǐng)域,，與中山大學(xué)、華南理工大學(xué)建立產(chǎn)學(xué)研合作,。
專項(xiàng)布局：累計(jì)申請光刻膠相關(guān)的項(xiàng)目30余項(xiàng),，涵蓋樹脂合成、配方優(yōu)化,、涂布工藝等細(xì)致環(huán)節(jié),。
生產(chǎn)體系
全自動化產(chǎn)線：采用德國曼茨（Manz）涂布設(shè)備、日本島津（Shimadzu）檢測儀器,，年產(chǎn)能超500噸（光刻膠）,，支持小批量定制（小訂單100g）和大規(guī)模量產(chǎn)。
潔凈環(huán)境：生產(chǎn)車間達(dá)萬級潔凈標(biāo)準(zhǔn)（ISO 8級）,，避免顆粒污染,，確保光刻膠缺陷密度<5個/cm。
吉田半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品覆蓋,，滿足多元化需求,。
關(guān)鍵工藝流程
涂布與前烘：
旋涂或噴涂負(fù)性膠，厚度可達(dá)1-100μm（遠(yuǎn)厚于正性膠）,，前烘溫度60-90℃,，去除溶劑并增強(qiáng)附著力,。
曝光：
光源以**汞燈G線（436nm）**為主，適用于≥1μm線寬,，曝光能量較高（約200-500mJ/cm）,，需注意掩膜版與膠膜的貼合精度。
顯影：
使用有機(jī)溶劑顯影液（如二甲苯,、醋酸丁酯）,，未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解，曝光的交聯(lián)膠膜保留,。
后處理：
后烘（Post-Bake）：加熱（100-150℃）進(jìn)一步固化交聯(lián)結(jié)構(gòu),，提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力。
光刻膠：半導(dǎo)體之路上的挑戰(zhàn)與突破,。常州LED光刻膠價(jià)格
PCB光刻膠國產(chǎn)化率超50%,。沈陽正性光刻膠
吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展
自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗(yàn)證,，吉田半導(dǎo)體填補(bǔ)國內(nèi)光刻膠空白,。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達(dá) 90nm,，適用于 14nm 及以上制程,，已通過中芯國際量產(chǎn)驗(yàn)證。該產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與自主配方,，突破日本企業(yè)對 ArF 光刻膠的壟斷,。其光酸產(chǎn)率提升 30%，蝕刻選擇比達(dá) 4:1,，性能對標(biāo)日本信越的 ArF 系列,。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國產(chǎn)芯片制造材料自主化進(jìn)程，為國內(nèi)晶圓廠提供高性價(jià)比解決方案,。
沈陽正性光刻膠
