作為中國半導體材料領(lǐng)域的企業(yè)，吉田半導體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略，通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新,，成功突破多項 “卡脖子” 技術(shù),，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造,、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域，為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐,。
吉田半導體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學研合作，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項技術(shù)突破：
-
YK-300 正性光刻膠：分辨率達 0.35μm,，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，適用于 45nm 及以上制程，良率達 98% 以上,，成本較進口產(chǎn)品降低 40%,，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。
-
SU-3 負性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，成功應用于高通 5G 基帶芯片封裝，良率提升至 98.5%,。
-
JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限,，圖形保真度 > 95%，性能對標德國 MicroResist 系列,，已應用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝,。
光刻膠生產(chǎn)工藝流程與應用。北京UV納米光刻膠
技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)
半導體先進制程：
EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個）,，開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料,；
極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm,，挑戰(zhàn)化學增幅體系的靈敏度,。
環(huán)保與低成本：
水性負性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放,；
單層膠工藝替代多層膠,，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。
新興領(lǐng)域拓展：
柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）,、低模量感光膠,，用于可穿戴設備電路；
光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導,，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）,。
典型產(chǎn)品與廠商
半導體正性膠：
日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）,；
美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm,，缺陷密度＜5個/cm）,。
PCB負性膠：
中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm,，國產(chǎn)化率超60%,；
日本東京應化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板,。
MEMS厚膠：
美國陶氏的SU-8：實驗室常用,，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）,；
德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻,，線寬精度±2%，用于工業(yè)級MEMS制造,。
貴州油性光刻膠廠家半導體材料方案選吉田,，歐盟 REACH 合規(guī)，24 小時技術(shù)支持,！
吉田半導體獲評 "專精特新" 企業(yè),，行業(yè)技術(shù)標準，以技術(shù)創(chuàng)新與標準化生產(chǎn)為,，吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號,，樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領(lǐng)域的表現(xiàn),，吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" ",，承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光刻膠用樹脂技術(shù)規(guī)范》等行業(yè)標準,，推動國產(chǎn)材料標準化進程,。未來，吉田半導體將繼續(xù)以" 中國半導體材料方案提供商 "為愿景,，深化技術(shù)研發(fā)與市場拓展,，為全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻" 中國力量 "。
研發(fā)投入的“高門檻”
一款KrF光刻膠的研發(fā)費用約2億元,，而國際巨頭年研發(fā)投入超10億美元,。國內(nèi)企業(yè)如彤程新材2024年半導體光刻膠業(yè)務營收只5.4億元，研發(fā)投入占比不足15%,，難以支撐長期技術(shù)攻關(guān),。
2. 價格競爭的“雙重擠壓”
國內(nèi)PCB光刻膠價格較國際低30%，但半導體光刻膠因性能差距,，價格為進口產(chǎn)品的70%,，而成本卻高出20%。例如，國產(chǎn)ArF光刻膠售價約150萬元/噸,，而日本同類產(chǎn)品為120萬元/噸,，且性能更優(yōu)。
突破路徑與未來展望
原材料國產(chǎn)化攻堅：聚焦樹脂單體合成,、光酸純化等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，推動八億時空,、怡達股份等企業(yè)實現(xiàn)百噸級量產(chǎn),。
技術(shù)路線創(chuàng)新：探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向,，華中科技大學團隊已實現(xiàn)5nm線寬原型驗證,。
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新：借鑒“TSMC-供應商”模式，推動晶圓廠與光刻膠企業(yè)共建聯(lián)合實驗室,，縮短認證周期,。
政策與資本雙輪驅(qū)動：依托國家大基金三期，對通過驗證的企業(yè)給予設備采購補貼（30%）,，并設立專項基金支持EUV光刻膠研發(fā),。
自研自產(chǎn)的光刻膠廠家。
吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝
自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,，成為 5G 芯片高密度封裝材料,。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠,，分辨率達 1.5μm,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性,，已應用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn),。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝，不采用國外材料,，成本較進口產(chǎn)品降低 40%,，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐,。
技術(shù)突破加速國產(chǎn)替代,，國產(chǎn)化布局贏得市場。福州水油光刻膠工廠
聚焦封裝需求,，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務,。北京UV納米光刻膠
化學反應：
正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸,，在堿性顯影液中溶解,；
負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
5. 顯影（Development）
顯影液：
正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域,；
負性膠：有機溶劑（如二甲苯,、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域,。
方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體）,，時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度,。
6. 后烘（Post-Bake）
目的：固化膠膜,，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。
條件：
溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高,，如180℃）,；
時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。
7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）
蝕刻：以膠膜為掩膜,，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅,、金屬、玻璃）,；
離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域,，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）。
8. 去膠（Strip）
方法：
濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）,；
干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領(lǐng)域,，無殘留）。
北京UV納米光刻膠
