EVG®510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置,，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶,，焊料，TLP,，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級(jí)用于陽極鍵合 開室設(shè)計(jì),，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動(dòng)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設(shè)計(jì),，可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10,、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴 可選：1E-5mbarSmart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,，讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對(duì)準(zhǔn),。寧夏鍵合機(jī)美元價(jià)

鍵合機(jī)特征 高真空，對(duì)準(zhǔn),，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè)，蕞/大6個(gè) 加載：手動(dòng),，卡帶,，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 高達(dá)200毫米奧地利鍵合機(jī)高性價(jià)比選擇我們?cè)诓恍柚匦屡渲糜布那闆r下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合,。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟,，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題,。在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動(dòng)、互融,，從而形成鍵合,。該過程對(duì)金的純度要求較高，即當(dāng)金層發(fā)生氧化就會(huì)影響鍵合質(zhì)量,。

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）,。借助BONDSCALE,，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長期挑戰(zhàn),。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù),，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,，并降低了擁有成本（CoO）,。晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能,；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng),。

EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS,，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元,。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部）。 特征 表面等離子體活化,，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI,，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級(jí)基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī),。寧夏鍵合機(jī)美元價(jià)

EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,，這對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。寧夏鍵合機(jī)美元價(jià)

ZiptronixInc.與EVGroup（簡(jiǎn)稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度,。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù),。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器,、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC),。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具,，而這是之前一直未能解決的難題,。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度，此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?！睂幭逆I合機(jī)美元價(jià)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主營品牌有EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Herzan,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB,，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，該公司貿(mào)易型的公司,。是一家其他有限責(zé)任公司企業(yè),，隨著市場(chǎng)的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究,，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進(jìn),，追求新型，在強(qiáng)化內(nèi)部管理,，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí),，良好的質(zhì)量、合理的價(jià)格,、完善的服務(wù),，在業(yè)界受到寬泛好評(píng)。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),，具有半導(dǎo)體工藝設(shè)備,，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī),，膜厚測(cè)量儀等多項(xiàng)業(yè)務(wù),。岱美中國以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù),，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展,。