EVG®620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準,,用于內(nèi)部基板鍵對準 NanoAlign®包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,,3英寸,,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準:3個卡帶站 可選:ZUI多5個站EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機,。陜西官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機
共晶鍵合[8,,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質(zhì)層,,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn)。因此,,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,,通常有鋁、金,、鈦,、鉻,、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,,可以降低鍵合工藝難度,,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力,,同時鈦也具有阻擋擴散層的作用, 可以阻止金向硅中擴散[10,,11]。湖南鍵合機美元價我們的服務(wù)包括通過安全的連接,,電話或電子郵件,對包括現(xiàn)場驗證,,進行實時遠程診斷和設(shè)備/工藝排除故障,。
EVG®520IS晶圓鍵合機系統(tǒng):單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng),用于小批量生產(chǎn),。EVG520IS單腔單元可半自動操作ZUI大200mm的晶圓,適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用,。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進行了重新設(shè)計,,具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計,。諸如獨LI的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,,高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢,,為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻,。特征:全自動處理,,手動裝卸,包括外部冷卻站兼容EVG機械和光學(xué)對準器單室或雙室自動化系統(tǒng)全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動集成式冷卻站可實現(xiàn)高產(chǎn)量選項:高真空能力(1E-6毫巴)可編程質(zhì)量流量控制器集成冷卻技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力10,、20、60,、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準:1E-5mbar可選:1E-6mbar
1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強度的同時,,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題,。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實際應(yīng)用環(huán)境,,且具有工藝溫度低,容易實現(xiàn)圖形化,,應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結(jié)果可以看出,,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,,鍵合效果不太理想,,還需對工藝流程進一步優(yōu)化,對工藝參數(shù)進行改進,,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。我們在不需重新配置硬件的情況下,,EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。
EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),,適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項關(guān)鍵技術(shù),,可在絕緣基板上實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),,SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來,。因此,EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝,。EVG850是wei一在高通量,,高產(chǎn)量環(huán)境下運行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標準,。LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活,,用于PAWB(等離子基活的晶圓鍵合)。云南EVG620鍵合機
EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,,能夠支持大量不同的對準技術(shù),。陜西官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機
GEMINI ® FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準,,并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,更高的對準度和覆蓋精度,,適用于諸如存儲器堆疊,,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器,,該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。陜西官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司是以提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備,,半導(dǎo)體測量設(shè)備,,光刻機 鍵合機,膜厚測量儀內(nèi)的多項綜合服務(wù),,為消費者多方位提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備,,半導(dǎo)體測量設(shè)備,光刻機 鍵合機,,膜厚測量儀,,公司成立于2002-02-07,旗下EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB,ThetaMetrisi,,已經(jīng)具有一定的業(yè)內(nèi)水平,。岱美中國致力于構(gòu)建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力,岱美中國將以精良的技術(shù),、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù),,滿足國內(nèi)外廣大客戶的需求。