EVG®620NT掩模對準系統(tǒng)（半自動/自動）特色：EVG®620NT提供國家的本領(lǐng)域掩模對準技術(shù)在ZUI小化的占位面積，支持高達150毫米晶圓尺寸,。技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱,，在ZUI小的占位面積上結(jié)合了先進的對準功能和ZUI優(yōu)化的總體擁有成本，提供了ZUI先進的掩模對準技術(shù),。它是光學(xué)雙面光刻的理想工具，可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案,，以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標準,。擁有操作員友好型軟件，ZUI短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務(wù)和支持,，使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案,。EVG已經(jīng)與研究機構(gòu)合作超過35年，能夠深入了解他們的獨特需求,。北京光刻機研發(fā)可以用嗎

EVG®150特征：晶圓尺寸可達300毫米多達6個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達20個烘烤/冷卻/汽化堆多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載可用的模塊包括旋轉(zhuǎn)涂層,，噴涂，NanoCoat?,，顯影,，烘烤/冷卻/蒸氣/上等EV集團專有的OmniSpray®超聲波霧化技術(shù)提供了無與倫BI的處理結(jié)果，當涉及到極端地形的保形涂層可選的NanoSpray?模塊實現(xiàn)了300微米深圖案的保形涂層,，長寬比ZUI高為1:10,，垂直側(cè)壁廣范的支持材料烘烤模塊溫度高達250°CMegasonic技術(shù)用于清潔，聲波化學(xué)處理和顯影,，可提高處理效率并將處理時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘寧夏光刻機有哪些應(yīng)用可以使用用于壓印光刻的工具,，例如紫外光納米壓印光刻，熱壓印或微接觸印刷,。

EVG120特征：晶圓尺寸可達200毫米超緊湊設(shè)計,，占用空間蕞小蕞多2個涂布/顯影室和10個加熱/冷卻板用于旋涂和噴涂，顯影,，烘烤和冷卻的多功能模塊的多功能組合為許多應(yīng)用領(lǐng)域提供了巨大的機會化學(xué)柜,，用于化學(xué)品的外部存儲EV集團專有的OmniSpray®超聲波霧化技術(shù)提供了沒人可比的處理結(jié)果，當涉及到極端地形的保形涂層CoverSpinTM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性Megasonic技術(shù)用于清潔,，聲波化學(xué)處理和顯影,，可提高處理效率并將處理時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘

EVG的光刻機技術(shù)：EVG在光刻技術(shù)上的關(guān)鍵能力在于其掩模對準器的高產(chǎn)能，接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統(tǒng)的內(nèi)部處理的相關(guān)知識,。EVG的所有光刻設(shè)備平臺均支持300毫米的晶圓,，可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并配有用于從上到下的側(cè)面對準驗證的度量工具,。EVG不斷展望未來的市場趨勢,，因此提供了針對特定應(yīng)用的解決方案,，尤其是在光學(xué)3D傳感和光子學(xué)市場中，其無人能比的EVG的工藝和材料專業(yè)知識-源自對各種光刻膠材料進行的廣范優(yōu)化研究,。了解客戶需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解決方案成功的重要因素,。IQ Aligner光刻機支持的晶圓尺寸高達200 mm / 300 mm。

EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源,；楔形補償全自動軟件控制,；晶圓直徑（基板尺寸）高達100/150/200毫米；曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式,；曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光,；先進的對準功能：手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準；EVG®610光刻機系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN,，DE,，F(xiàn)R，IT,，JP,，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術(shù)為“無紫外線”,。EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個底部對準系統(tǒng),，可以在頂部和雙面光刻。山東光刻機技術(shù)支持

EVG?620NT/EVG?6200NT掩模對準系統(tǒng)（自動化和半自動化）支持的晶圓尺寸：150mm/200mm,。北京光刻機研發(fā)可以用嗎

G®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計理念：單機EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設(shè)計,。特點：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程,。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā),。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的ZUI佳控制,。EVG105烘烤模塊可以同時處理300mm的晶圓尺寸或4個100mm的晶圓,。特征獨力烘烤模塊晶片尺寸ZUI大為300毫米，或同時ZUI多四個100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C,，ZUI高250°C烘烤溫度用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米烤盤：溫度范圍：≤250°C手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙,。北京光刻機研發(fā)可以用嗎