晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同,。該技術不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應用封裝和引線,，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前,，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路,。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣,，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術,。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應用于電路板的表面,。晶圓級組件通?？梢耘c其他表面貼裝設備類似地使用。例如,，它們通?？梢栽诰韼C上購買，以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng),。 EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合,。EVG501鍵合機美元價

EVGroup開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術,，通過消除與掩模相關的困難和成本,，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾,。它提供了可擴展的解決方案,，可同時進行裸片和晶圓級設計，支持現(xiàn)有材料和新材料,，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能,，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）,。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS,，生物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。 3D IC鍵合機技術服務EVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法,，包括陽極,，熱壓縮，玻璃料,，環(huán)氧樹脂,，UV和熔融鍵合,。

鍵合對準機系統(tǒng) 1985年,，隨著世界上di一個雙面對準系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術,，并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標準,。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性,。EVG的鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級功能,，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證,。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準系統(tǒng),；EVG620BA鍵合對準系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對準系統(tǒng),；SmartViewNT鍵合對準系統(tǒng),；

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器,?；旌湘I合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,，從而允許晶片面對面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞檬歉呒?D設備堆疊,。EVG的熔融和混合鍵合設備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng),；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。EVG鍵合機使用直接（實時）或間接對準方法,，能夠支持大量不同的對準技術,。

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作,。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合,，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合,，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì),。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計,，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟,。多語言支持,，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作,。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信,。因此，我們的服務包括通過安全連接,，電話或電子郵件,，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的，實時遠程診斷和排除故障,。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持,，這得益于我們分布于全球的支持結構，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行,。EVG501鍵合機美元價

EVG鍵合可選功能：陽極,，UV固化，650℃加熱器,。EVG501鍵合機美元價

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理,，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū),。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料,，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配）,，N＆P堆棧,，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200,、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征：多達八個預處理模塊,，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊,，對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ EVG501鍵合機美元價