熔融和混合鍵合系統(tǒng)：

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器,。

混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,，從而允許晶片面對面連接,。混合綁定的主要應用是高級3D設(shè)備堆疊,。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng),；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng),。 Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準,。官方鍵合機三維芯片應用

臨時鍵合系統(tǒng)：

臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要,。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,，將晶片堆疊剝離,。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供,。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng),；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng),；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng),。 EVG805鍵合機美元報價鍵合機供應商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工,。

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,，高產(chǎn)量環(huán)境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準的預鍵合

先進的遠程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200,、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預鍵合室

對準類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50μm,，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關(guān)鍵技術(shù),。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-,。因此,，經(jīng)過實踐檢驗的行業(yè)標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG鍵合可選功能：陽極,，UV固化,，650℃加熱器。

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,，***用于微電子工業(yè)中,，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上,。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,，它通常不需要中間層,，但不同之處在于，它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓,。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上,。但是,，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉）,，以提供可移動的正離子,。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）,。 EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合,、瞬間液相鍵合、共熔鍵合,、黏合劑鍵合,、熱壓鍵合。天津EVG320鍵合機

EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝,。官方鍵合機三維芯片應用

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝,。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,，要進行復雜的拋光處理，這**加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。官方鍵合機三維芯片應用