針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火,，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,，具有工藝溫度低,、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點,。自動鍵合系統(tǒng)EVG?540,，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。廣東CMOS鍵合機

EVG®520IS晶圓鍵合機系統(tǒng)：

單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng),，用于小批量生產(chǎn),。

EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應用,。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進行了重新設計,，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如**的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,，高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢,，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。

特征：

全自動處理,，手動裝卸,，包括外部冷卻站

兼容EVG機械和光學對準器

單室或雙室自動化系統(tǒng)

全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動

集成式冷卻站可實現(xiàn)高產(chǎn)量

選項：

高真空能力（1E-6毫巴）

可編程質(zhì)量流量控制器

集成冷卻

技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力

10、20,、60,、100kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標準：1E-5mbar

可選：1E-6mbar 熔融鍵合鍵合機供應商家EVG的各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應用提供了多種優(yōu)勢,。

EVGroup開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術(shù)，通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本,，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求,。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案,，可同時進行裸片和晶圓級設計,，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性,，并具有多級冗余功能,，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,，而且還滿足MEMS,，生物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟,，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差,。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時,，金層發(fā)生流動,、互融，從而形成鍵合,。該過程對金的純度要求較高,，即當金層發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性,、高真空鍵合室,、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

根據(jù)型號和加熱器尺寸,，EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓,。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn),，因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。

鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空,，快速加熱和冷卻,。通過控制溫度,，壓力,，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程,。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源,。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行,。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性,。在不需要重新配置硬件的情況下,，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。 EVG的鍵合機設備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500套,。EVG520鍵合機高性價比選擇

EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm,、溫度高達550°C,、真空氣壓低至1·10-6 mbar。廣東CMOS鍵合機

GEMINI®FB特征：

新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度

多達六個預處理模塊,，例如：

清潔模塊

LowTemp?等離子基活模塊

對準驗證模塊

解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現(xiàn)蕞高吞吐量

可選功能：

解鍵合模塊

熱壓鍵合模塊

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

200,、300毫米

蕞高處理模塊數(shù)：6+的SmartView

®NT

可選功能：

解鍵合模塊

熱壓鍵合模塊

EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴展了現(xiàn)有標準,，并擁有更高的生產(chǎn)率,，更高的對準和涂敷精度，適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對準器,，該鍵合對準器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的,。 廣東CMOS鍵合機