EVG?850TB 自動(dòng)化臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 全自動(dòng)將臨時(shí)晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動(dòng)的臨時(shí)鍵合系統(tǒng)可在一個(gè)自動(dòng)化工具中實(shí)現(xiàn)整個(gè)臨時(shí)鍵合過(guò)程-從臨時(shí)鍵合劑的施加,，烘焙,，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對(duì)準(zhǔn)和鍵合開(kāi)始。與所有EVG的全自動(dòng)工具一樣,，設(shè)備布局是模塊化的,，這意味著可以根據(jù)特定過(guò)程對(duì)吞吐量進(jìn)行優(yōu)化,。可選的在線計(jì)量模塊允許通過(guò)反饋回路進(jìn)行全過(guò)程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化,。 由于EVG的開(kāi)放平臺(tái),，因此可以使用不同類型的臨時(shí)鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料,，熱固性材料或膠帶,。EVG鍵合機(jī)通過(guò)控制溫度，壓力,，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程,。EVG810 LT鍵合機(jī)售后服務(wù)

      一旦認(rèn)為模具有缺陷,，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具，以便于視覺(jué)隔離,。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中,，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率,。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失,。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源,。為了稍微簡(jiǎn)化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本,。

      半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。 本地鍵合機(jī)推薦廠家EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套,。

1) 由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí),，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。

2) 由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境,，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖 形化,，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn),。

3) 由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,，鍵合效果不太理想,，還需對(duì)工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化,，對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率,。

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：

熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接,，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器,。

混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤(pán)的熔融鍵合,，從而允許晶片面對(duì)面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊,。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng),；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),；BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。 EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì),，注重用戶友好性,，可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。

EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站,，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG®540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤(pán)■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG®560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室,，滿足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng)，用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局,，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG®GEMINI®自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上,，同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列的GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng),，并結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作,。有關(guān)更多詳/細(xì)信息，請(qǐng)參/閱我們的GEMINI手冊(cè),。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器,，是專門(mén)為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的。寧夏鍵合機(jī)免稅價(jià)格

晶圓級(jí)涂層,、封裝,，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,，如SOI（絕緣體上硅）,。EVG810 LT鍵合機(jī)售后服務(wù)

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］,。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝,。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這大 大加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］,。EVG810 LT鍵合機(jī)售后服務(wù)