晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,，通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路,。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來,。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同,。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn),。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓,，這是建立微電子電路的基礎(chǔ),。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離,。分離后，將它們封裝成單獨(dú)的組件,，然后將焊料引線施加到封裝上,。 根據(jù)鍵合機(jī)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓,。中芯國際鍵合機(jī)質(zhì)保期多久

EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：

單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng),，用于小批量生產(chǎn)。

EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作蕞大200mm的晶圓,，適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用,。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，具有EVGroup專有的對(duì)稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì),。諸如**的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,，高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢(shì)，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn),。

特征：

全自動(dòng)處理,，手動(dòng)裝卸，包括外部冷卻站

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器

單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)

全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)

集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量

選項(xiàng)：

高真空能力（1E-6毫巴）

可編程質(zhì)量流量控制器

集成冷卻

技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力

10,、20,、60、100kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn)：1E-5mbar

可選：1E-6mbar SOI鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋,，可快速排空,，快速加熱和冷卻。

EVG®501鍵合機(jī)特征：

獨(dú)特的壓力和溫度均勻性,；

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器,；

靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；

從單芯片到晶圓,；

各種工藝（共晶,，焊料，TLP,，直接鍵合）,；

可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；

可升級(jí)用于陽極鍵合,；

開室設(shè)計(jì),，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；

兼容試生產(chǎn),，適合于學(xué)校,、研究所等；

開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù),；

200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米,；

程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。

EVG®501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力為20kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴

可選：1E-5mbar

EVG?560自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng),，用于大批量生產(chǎn)特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVG560自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng)蕞多可容納四個(gè)鍵合室,，并具有各種鍵合室配置選項(xiàng)，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓,。EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計(jì),，并結(jié)合了EVG手動(dòng)鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強(qiáng)的過程控制和自動(dòng)化功能，可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合,。機(jī)器人處理系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)加載和卸載處理室,。特征全自動(dòng)處理，可自動(dòng)裝卸鍵合卡盤多達(dá)四個(gè)鍵合室,，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容同時(shí)在頂部和底部快速加熱和冷卻自動(dòng)加載和卸載鍵合室和冷卻站遠(yuǎn)程在線診斷技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸150,、200、300毫米裝載室使用5軸機(jī)器人蕞/高鍵合模塊4個(gè),。EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN,、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C,、真空氣壓低至1·10-6 mbar,。

EVG?850LT的LowTemp?等離子激/活模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar,，He,，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn),，可對(duì)配方進(jìn)行編程,，流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)）,，超音速噴嘴,，超音速面積傳感器，噴嘴,，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）,，NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計(jì),，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。陜西鍵合機(jī)服務(wù)為先

GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。中芯國際鍵合機(jī)質(zhì)保期多久

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體,。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片,，因?yàn)楣枋钱?dāng)***行的半導(dǎo)體,，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體,。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件,，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能*包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路,，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。中芯國際鍵合機(jī)質(zhì)保期多久

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,。目前我公司在職員工以90后為主，是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì),。誠實(shí),、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營要求，也是我們做人的基本準(zhǔn)則,。公司致力于打造***的磁記錄,，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn),，測(cè)試儀器的批發(fā),。一直以來公司堅(jiān)持以客戶為中心、磁記錄,，半導(dǎo)體,，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)市場(chǎng)為導(dǎo)向,，重信譽(yù),，保質(zhì)量，想客戶之所想,，急用戶之所急,，全力以赴滿足客戶的一切需要。