備用光源：

LAMP-TH1-5PAK：F10,、F20,、F30、F40,、F50,、和 F60 系統(tǒng)的非紫外光源。 5個(gè)/盒,。1200 小時(shí)平均無故障,。

LAMP-TH：F42F42 系統(tǒng)的光源。 1000 小時(shí)平均無故障,。

LAMP-THF60：F60 系統(tǒng)的光源,。 1000 小時(shí)平均無故障。

LAMP-THF80：F80 系統(tǒng)的光源,。 1000 小時(shí)平均無故障,。

LAMP-D2-L10290：L10290 氘光源。 2007年到2014年F20-UV的使用者,。

LAMP-TH-L10290：L10290 鎢鹵素光源,。 2007年到2014年F20-UV的使用者。

LAMP-D2-***T2：***T2光源需更換氘燈, 而鹵素?zé)艄庠葱韪鼡Q使用LAMP-TH1-5PAK. F50-UV測厚范圍：5nm-40μm,；波長：190-1100nm,。Filmetrics膜厚儀實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用

FSM 360 拉曼光譜系統(tǒng)

FSM紫外光和可見光拉曼系統(tǒng), 型號360

FSM拉曼的應(yīng)用

l  局部應(yīng)力；

l  局部化學(xué)成分

l  局部損傷

紫外光可測試的深度

***的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應(yīng)力

可見光可測試的深度

良好的厚樣以及多層樣品的局部應(yīng)力

系統(tǒng)測試應(yīng)力的精度小于15mpa (0.03cm-1)

全自動(dòng)的200mm和300mm硅片檢查

自動(dòng)檢驗(yàn)和聚焦的能力,。

以上的信息比較有限,，如果您有更加詳細(xì)的技術(shù)問題，請聯(lián)系我們的技術(shù)人員為您解答,?；蛘咴L問我們的官網(wǎng)了解更多信息。 膜厚儀美元報(bào)價(jià)適用于所有可讓紅外線通過的材料 硅,、藍(lán)寶石,、砷化鎵、磷化銦、碳化硅,、玻璃,、石 英、聚合物等,。

F30包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置光斑尺寸10微米的單點(diǎn)測量平臺FILMeasure 8反射率測量軟件Si 參考材料FILMeasure **軟件 (用于遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)分析)

額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫, 隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網(wǎng)上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計(jì)劃

型號厚度范圍*波長范圍

F3-s 980:10μm - 1mm  960-1000nm

F3-s1310:15μm - 2mm 1280-1340nm 

F3-s1550:25μm - 3mm 1520-1580nm

*取決于薄膜種類

FSM膜厚儀簡單介紹：

FSM 128 厚度以及TSV和翹曲變形測試設(shè)備:

美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年,，總部位于圣何塞，多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測量設(shè)備,，客戶遍布全世界, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測量設(shè)備: 三維輪廓儀,、拉曼光譜、

薄膜應(yīng)力測量設(shè)備,、 紅外干涉厚度測量設(shè)備,、電學(xué)測量設(shè)備:高溫四探針測量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測量設(shè)備,、金屬污染分析,、等效氧化層厚度分析 (EOT)。

請?jiān)L問我們的中文官網(wǎng)了解更多的信息,。 厚度變化 (TTV) ,；溝槽深度；過孔尺寸,、深度,、側(cè)壁角度。

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因,。

故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝),。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度,。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度,，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng),。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量,，另外可選配模組來延伸**小測量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇,。

測量范例現(xiàn)在我們使用我們的 F3-s1550 系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度 厚度范圍: 測量從 1nm 到 13mm 的厚度,。 測量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。Filmetrics F54膜厚儀生產(chǎn)國

測量厚度: 15 — 780 μm (單探頭) ,； 3 mm (雙探頭總厚度測量),。Filmetrics膜厚儀實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用

參考材料

備用 BK7 和二氧化硅參考材料。

BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內(nèi)取背景反射的小型抗反光鏡

BG-F10-RT平臺系統(tǒng)內(nèi)獲取背景反射的抗反光鏡

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準(zhǔn)

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準(zhǔn)

REF-BK71?" x 1?" BK7 反射基準(zhǔn),。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經(jīng)處理的石英,，用于雙界面基準(zhǔn)。

REF-Si-22" 單晶硅晶圓

REF-Si-44" 單晶硅晶圓

REF-Si-66" 單晶硅晶圓

REF-Si-88" 單晶硅晶圓

REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設(shè)計(jì)之鋁反射率基準(zhǔn)片

REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設(shè)計(jì)之BK7玻璃反射率基準(zhǔn)片

REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設(shè)計(jì)之硅反射率基準(zhǔn)片 Filmetrics膜厚儀實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力,。公司以誠信為本,，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋磁記錄，半導(dǎo)體,，光通訊生產(chǎn),，測試儀器的批發(fā)，我們本著對客戶負(fù)責(zé),，對員工負(fù)責(zé),，更是對公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度，爭取做到讓每位客戶滿意,。公司深耕磁記錄,，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn),，測試儀器的批發(fā),，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間,、更寬泛的領(lǐng)域拓展,。