GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法,。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,，更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度,，適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器,，該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的,。EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性,、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄,。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路,。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來,。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種,。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同,。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,，稱為晶圓,，這是建立微電子電路的基礎(chǔ),。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,，將它們封裝成單獨的組件,，然后將焊料引線施加到封裝上,。 廣西鍵合機試用旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層,。

      晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益,。它允許晶圓制造,，封裝和測試的集成,，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。

      晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,，從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本,。然而,，更重要的是,，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣 泛的高級產(chǎn)品中,。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,，尤其是減小封裝高度。

      岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機,，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。

從表面上看,，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語,，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復(fù)雜得多,。為了將各種組件長久地連接在一起,，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性,，由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度，通常僅應(yīng)用金,，鋁和銅,。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,，超聲波能量和微量壓力的技術(shù),，可避免損壞電子電路,。如果執(zhí)行不當(dāng),，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習(xí),，然后再嘗試進行引線鍵合,。鍵合機晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層,，晶圓級封裝,，工程襯底智造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實用的技術(shù),。

EVG?501晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng),，可實現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計,，可實現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護 ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng),，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量,，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對于UV固化的黏合劑,，可選的鍵合室蓋里具有UV源。半導(dǎo)體鍵合機參數(shù)

除了支持3D互連和MEMS制造,，晶圓級和先進封裝外,，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發(fā),，中試和批量生產(chǎn)。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機

共晶鍵合［8,，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn),。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量,。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,，通常有鋁,、金、鈦,、鉻、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度,，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴散［10,，11］,。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機

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