GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法,。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,，更高的對(duì)準(zhǔn)度和覆蓋精度,，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專(zhuān)門(mén)為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的,。EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性,、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄,。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機(jī)

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,，通過(guò)在每個(gè)電路周?chē)┘臃庋b來(lái)制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì),，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來(lái),。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同,。

      集成電路的常規(guī)制造通常開(kāi)始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn),。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓,，這是建立微電子電路的基礎(chǔ),。這些電路通過(guò)稱為晶圓切割的工藝來(lái)分離。分離后,，將它們封裝成單獨(dú)的組件,，然后將焊料引線施加到封裝上,。 廣西鍵合機(jī)試用旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

      晶圓級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來(lái)許多經(jīng)濟(jì)利益,。它允許晶圓制造,，封裝和測(cè)試的集成，從而簡(jiǎn)化制造過(guò)程,?？s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。

      晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸,，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本,。然而，更重要的是,，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣 泛的高級(jí)產(chǎn)品中,。晶圓級(jí)封裝的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度,。

      岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝的功能。

從表面上看,，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ),，但由于涉及更多的變量，因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多,。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起,，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過(guò)程，但是由于項(xiàng)目的精致性,，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度,，通常僅應(yīng)用金，鋁和銅,。通過(guò)使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,，超聲波能量和微量壓力的技術(shù),，可避免損壞電子電路,。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤(pán),，因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí),，然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層,，晶圓級(jí)封裝,，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù),。

EVG?501晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購(gòu)置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),，可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,，低至10-5mbar) ■開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng),，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購(gòu)置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過(guò)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量,，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機(jī)也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑,，可選的鍵合室蓋里具有UV源,。半導(dǎo)體鍵合機(jī)參數(shù)

除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外,，EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),，中試和批量生產(chǎn)。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機(jī)

共晶鍵合［8,，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn),。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類(lèi)很多,，通常有鋁,、金、鈦,、鉻,、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］,。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機(jī)

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