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EVG540鍵合機(jī)技術(shù)支持

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-10-31

EVG®850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征:

開放式膠粘劑平臺(tái);

各種載體(硅,,玻璃,,藍(lán)寶石等);

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能,;

提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合,;

程序控制系統(tǒng);

實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù),;

完全集成的SECS/GEM接口,;

可選的集成在線計(jì)量模塊,用于自動(dòng)反饋回路,;



技術(shù)數(shù)據(jù):

晶圓直徑(基板尺寸):蕞長300毫米,,可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態(tài)

外套模塊

帶有多個(gè)熱板的烘烤模塊

通過光學(xué)或機(jī)械對(duì)準(zhǔn)來對(duì)準(zhǔn)模塊

鍵合模塊:

選件

在線計(jì)量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層,晶圓級(jí)封裝,,工程襯底智造,,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。EVG540鍵合機(jī)技術(shù)支持

ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),,高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),,EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,可滿足市場對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,,堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),可以針對(duì)研發(fā)和高通量,,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,,并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合,,都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。美元價(jià)鍵合機(jī)原理EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),,同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能,。

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路,。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì),,該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種,。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同,。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,,稱為晶圓,,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離,。分離后,,將它們封裝成單獨(dú)的組件,然后將焊料引線施加到封裝上,。

Abouie M 等人[4]針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究,,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大,??蹬d華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題,,實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小,。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝[6],其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,,但其硅片不涉及光刻,、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,,故其鍵合工藝限制較大,。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒,。

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,,可快速排空,快速加熱和冷卻,。通過控制溫度,,壓力,,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程,。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對(duì)于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源,。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行,。頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性,。在不需要重新配置硬件的情況下,,可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。


以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持,。 對(duì)于無夾層鍵合工藝,,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì),。美元價(jià)鍵合機(jī)原理

EVG的 GEMINI系列,在醉小占地面積上,,一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù),。EVG540鍵合機(jī)技術(shù)支持

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作(錯(cuò)誤加載,,SMIF或FOUP)

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷


技術(shù)數(shù)據(jù):

晶圓直徑(基板尺寸)

100-200,、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°

結(jié)合力:蕞高5N

鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) EVG540鍵合機(jī)技術(shù)支持

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司致力于儀器儀表,,以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求,。公司自創(chuàng)立以來,投身于磁記錄,,半導(dǎo)體,,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā),,是儀器儀表的主力軍,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長,,又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注儀器儀表行業(yè),。滿足市場需求,,提高產(chǎn)品價(jià)值,是我們前行的力量。