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中國香港鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

來源: 發(fā)布時(shí)間:2020-08-18

Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱“EVG ”)***宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術(shù),。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,,包括堆棧存儲(chǔ)器,、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC),。

Ziptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示:“DBI 混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,,只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具,,而這是之前一直未能解決的難題,。EVG 的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度,此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn) (HVM) 鋪平了道路,?!?EVG鍵合可選功能:陽極,,UV固化,650℃加熱器,。中國香港鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),,EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,,可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),,可以針對(duì)研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,,并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,,這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合,,都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度,。西藏鍵合機(jī)服務(wù)為先晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能,;200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng),。

熔融和混合鍵合系統(tǒng):

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,,例如背面照明的CMOS圖像傳感器,。

混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對(duì)面連接,?;旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng),;EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng),;EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),;EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),;GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng),。

從表面上看,,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語,但由于涉及更多的變量,,因此該過程實(shí)際上要復(fù)雜得多,。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起,在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程,,但是由于項(xiàng)目的精致性,,由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度,,通常*應(yīng)用金,鋁和銅,。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,,超聲波能量和微量壓力的技術(shù),可避免損壞電子電路,。如果執(zhí)行不當(dāng),,很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí),,然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合,。EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合,。

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,,***用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起,。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上,。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,,與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,,它通常不需要中間層,但不同之處在于,,它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓,。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上,。但是,,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),,以提供可移動(dòng)的正離子,。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na 2 O),。 對(duì)于無夾層鍵合工藝,,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì),。新疆鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)

EVG服務(wù):高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合,、臨時(shí)鍵合和熱,、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離,、黏合劑鍵合,。中國香港鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,,以保護(hù)它們免受損壞,污染,,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng),。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,,陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備,。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,,它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹,,否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

      而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,,如果需要了解,,請(qǐng)點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。 中國香港鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

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