Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),，但不涉及對準(zhǔn)問題,，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝［6］,，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理,。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,，但其硅片不涉及光刻,、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,，故其鍵合工藝限制較大,。EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上,，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對準(zhǔn)技術(shù)。河南晶片鍵合機(jī)

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合,。

EVG805是半自動(dòng)系統(tǒng),，用于剝離臨時(shí)鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓,，載體晶圓和中間臨時(shí)鍵合膠組成,。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離?？梢詫⒈【A卸載到單個(gè)基板載體上,，以在工具之間安全可靠地運(yùn)輸。

特征：

開放式膠粘劑平臺

解鍵合選項(xiàng)：

熱滑解鍵合

解鍵合

機(jī)械解鍵合

程序控制系統(tǒng)

實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)

薄晶圓處理的獨(dú)特功能

多種卡盤設(shè)計(jì),，可支撐蕞大300mm的晶圓/基板和載體

高形貌的晶圓處理

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

晶片蕞大300mm

高達(dá)12英寸的薄膜

組態(tài)

1個(gè)解鍵合模塊

選件

紫外線輔助解鍵合

高形貌的晶圓處理

不同基板尺寸的橋接能力 半導(dǎo)體鍵合機(jī)試用晶圓級涂層,、封裝，工程襯底知造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,，如SOI（絕緣體上硅）。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟,，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差,。

      本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動(dòng),、互 融，從而形成鍵合,。該過程對金的純度要求較高,，即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會(huì)影響鍵合質(zhì)量。

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售,，每個(gè)平臺針對不同的應(yīng)用,。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。

特征：

在單個(gè)平臺上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合,，可實(shí)現(xiàn)不同材料,，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放，3D集成（例如M3）,，3DVLSI（包括背面電源分配）,，N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯,，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200,、300毫米

蕞高數(shù)量或過程模塊8通量

每小時(shí)蕞多40個(gè)晶圓

處理系統(tǒng)

4個(gè)裝載口

特征：

多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊，例如清潔模塊,，LowTemp?等離子活化模塊,，對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量

光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ 晶圓級涂層、封裝,，工程襯底智造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）,。

EVG?6200BA自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性,，模塊化升級功能,，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程,。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準(zhǔn) 手動(dòng)或電動(dòng)對中平臺,，帶有自動(dòng)對中選項(xiàng) 全電動(dòng)高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑，陽極,，直接/熔融,，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝,。SmartView NT鍵合機(jī)圖像傳感器應(yīng)用

EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN,、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C,、真空氣壓低至1·10-6 mbar,。河南晶片鍵合機(jī)

EVG®320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)

用途：自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒

EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板,。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對準(zhǔn)和裝載晶圓,。除了使用去離子水沖洗外,，配置選項(xiàng)還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗,。

特征

多達(dá)四個(gè)清潔站

全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理

可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理（可選）

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過程 河南晶片鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司位于中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號第五層六十五部位,，交通便利，環(huán)境優(yōu)美,，是一家其他型企業(yè),。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù),，是一家有限責(zé)任公司企業(yè),。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有磁記錄,，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn),，測試儀器的批發(fā)等多項(xiàng)業(yè)務(wù),。岱美儀器技術(shù)服務(wù)以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù),，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展,。