該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染,，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng),。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中,，陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設(shè)備,。陽極鍵合的主要優(yōu)點是,，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度,，而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制,，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說,，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲,。

      而EVG的鍵合機所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,，如果需要了解，請點擊：鍵合機,。 我們的服務(wù)包括通過安全的連接,，電話或電子郵件，對包括現(xiàn)場驗證,，進行實時遠程診斷和設(shè)備/工藝排除故障,。EVG850 TB鍵合機美元價

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關(guān)鍵技術(shù),。借助用于機械對準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-,。因此,，經(jīng)過實踐檢驗的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝,。重慶中科院鍵合機鍵合機晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層,，晶圓級封裝，工程襯底智造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實用的技術(shù),。

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺,，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合,，并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,，這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,，都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度,。

 Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說：“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計非常適合我們的需求,。在一個系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔,，對齊（對準(zhǔn)）和鍵合,，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的質(zhì)量服務(wù)對于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機至關(guān)重要,?！?

      EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計劃?！?

      該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級設(shè)備投 資上的另一個重要里程碑,，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場。 EVG鍵合機頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),，實現(xiàn)無應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性,。

EVG?850LT的LowTemp?等離子激/活模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar,，He,，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準(zhǔn),，可對配方進行編程,，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)）,，超音速噴嘴,，超音速面積傳感器，噴嘴,，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）,，NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站自動鍵合系統(tǒng)EVG?540,，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。西藏紅外鍵合機

EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的,。EVG850 TB鍵合機美元價

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空,，快速加熱和冷卻,。通過控制溫度，壓力,，時間和氣體,，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對于UV固化黏合劑,，可選的鍵合室蓋具有UV源,。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),，從而實現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性,。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合,。

以上的鍵合機由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持,。 EVG850 TB鍵合機美元價

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