該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,,以保護(hù)它們免受損壞,,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽(yáng)極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),,在該行業(yè)中,陽(yáng)極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備,。陽(yáng)極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無(wú)需粘合劑或過(guò)高的溫度,,而這是將組件融合在一起所需要的,。陽(yáng)極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄?lèi)似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說(shuō),,它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲,。
而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽(yáng)極鍵合的問(wèn)題,,如果需要了解,請(qǐng)點(diǎn)擊:鍵合機(jī),。 我們的服務(wù)包括通過(guò)安全的連接,,電話或電子郵件,對(duì)包括現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,,進(jìn)行實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障,。EVG850 TB鍵合機(jī)美元價(jià)
EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途:自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-,。因此,,經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高通量,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝,。重慶中科院鍵合機(jī)鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層,,晶圓級(jí)封裝,工程襯底智造,,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù),。
ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),,EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,,可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,堆疊的太陽(yáng)能電池和功率器件到**MEMS封裝,,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),,可以針對(duì)研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,,并通過(guò)其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,,這些金屬在周?chē)h(huán)境中會(huì)迅速重新氧化,。對(duì)于所有材料組合,都可以實(shí)現(xiàn)無(wú)空隙和無(wú)顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度,。
Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說(shuō):“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求,。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理,清潔,,對(duì)齊(對(duì)準(zhǔn))和鍵合,,這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的質(zhì)量服務(wù)對(duì)于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要,?!?
EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示:“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來(lái)支持其雄心勃勃的技術(shù)開(kāi)發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?!?
該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投 資上的另一個(gè)重要里程碑,,該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。 EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),,實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性,。
EVG?850LT的LowTemp?等離子激/活模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,,He,,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞/高為4%的氣體)2) 通用質(zhì)量流量控制器:蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn),,可對(duì)配方進(jìn)行編程,,流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件),高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),,超音速?lài)娮?,超音速面積傳感器,噴嘴,,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),,NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán):真空卡盤(pán)(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(pán)(選件),,由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站自動(dòng)鍵合系統(tǒng)EVG?540,,擁有300 mm單腔鍵合室和多達(dá)4個(gè)自動(dòng)處理鍵合卡盤(pán)。西藏紅外鍵合機(jī)
EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過(guò)遠(yuǎn)程通信的,。EVG850 TB鍵合機(jī)美元價(jià)
EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,,可快速排空,快速加熱和冷卻,。通過(guò)控制溫度,,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程,。也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合,。對(duì)于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源,。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行,。頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性,。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合,。
以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持,。 EVG850 TB鍵合機(jī)美元價(jià)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號(hào)第五層六十五部位。岱美儀器技術(shù)服務(wù)致力于為客戶提供良好的磁記錄,,半導(dǎo)體,,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā),,一切以用戶需求為中心,,深受廣大客戶的歡迎。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí),,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于儀器儀表行業(yè)的發(fā)展,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)立足于全國(guó)市場(chǎng),,依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,融合前沿的技術(shù)理念,,飛快響應(yīng)客戶的變化需求,。