EVG?850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合,，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中,，經(jīng)過(guò)處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐,。支持的剝離方法包括UV激光,，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法,，都可以通過(guò)薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來(lái)支撐設(shè)備晶圓,。 特征 在有形和無(wú)形的情況下，都能可靠地處理變薄的,，彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理EVG的 GEMINI系列,，在醉小占地面積上，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù),。西藏鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層,，晶圓級(jí)封裝,，工程襯**造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù),。反過(guò)來(lái),，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng),。這些工藝也能用于制造工程襯底,，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑,，陽(yáng)極,，直接/熔融，玻璃料,，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用,。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝,。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工,。同時(shí),，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。北京官方鍵合機(jī)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS,，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能,；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

200,、100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室,，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

可選的

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形,，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石

刷的參數(shù)：

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）

自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)

掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320,，使24小時(shí)自動(dòng)化盒對(duì)盒或FOUP到FOUP操作,，達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染,。

可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

50-200,、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar

腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化

腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能：

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無(wú)金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力

符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化,，Si（熱氧化）/

Si（熱氧化）

TEOS/TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（無(wú)堿浮法）：硅/玻璃,，玻璃/玻璃

化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP,，InP

聚合物：PMMA,，環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）

GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。

共晶鍵合［8,，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn),。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量,。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,，通常有鋁、金,、鈦,、鉻、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度,，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10,，11］,。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套,。價(jià)格怎么樣鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)用戶

鍵合機(jī)供應(yīng)商EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。西藏鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,，通過(guò)在每個(gè)電路周圍施加封裝來(lái)制造集成電路,。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來(lái),。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種,。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn),。通常將純硅錠切成薄片,，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ),。這些電路通過(guò)稱為晶圓切割的工藝來(lái)分離,。分離后,，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上,。 西藏鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)

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