ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流,。ESD5451X采用FBP-02C封裝,。標準產品為無鉛、無鹵素,。
特點：
· 反向截止電壓：±5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）
· 電容：CJ=17.5pFtyp
· 低漏電流：IR<1nAtyp
· 低鉗位電壓：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固態(tài)硅技術
應用：
· 手機
· 平板
· 電腦
· 筆記本電腦
· 其他便攜式設備
· 網絡通信設備
ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器,，保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力影響,。適用于手機,、平板,、筆記本等便攜式設備，雙向保護,，應對極端電氣環(huán)境,。低漏電流、低鉗位電壓,，不影響設備正常工作,。固態(tài)硅技術，穩(wěn)定可靠,。各方面保護現(xiàn)代電子設備,，消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們,。 ESD56281N05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L,。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z
RB521C30：肖特基勢壘二極管
· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V
· 直流反向電壓 VR 30 V
· 平均整流正向電流 IO 100 mA
產品特性：
100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流,，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色,。
低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下,，它需要的電壓較低,，從而降低了功耗。
低漏電流：RB521C30的漏電流非常低,，這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗,。
小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用,，如便攜式設備和小型電路板,。
應用領域：
RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中,，它能夠將交流信號轉換為直流信號,，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合,，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外,，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3018WAS4642Q-24/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：QFN2534-24L,。
WPM1483是一個單P溝道、-12V,、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）,。它采用了先進的溝槽技術和設計,，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換,、電源開關和充電電路,。標準產品WPM1483為無鉛、無鹵素,。
特性：
溝槽技術
超高密度單元設計
優(yōu)異的ON電阻,，適用于更高的直流電流
極低的閾值電壓
小型SOT-23封裝
應用：
繼電器、螺線管,、電機,、LED等的驅動器
DC-DC轉換器電路
電源開關
負載開關
充電應用
WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進溝槽技術,，具有低RDS(ON)和低柵極電荷,，適用于高效、高可靠性電力管理應用,?？沙惺?5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗,。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素,，環(huán)保且易于集成,。適用于DC-DC轉換、電源開關,，驅動繼電器,、電機等應用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們,。
ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,，為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器（MLV）,，適用于手機,、筆記本電腦、平板電腦,、機頂盒,、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管,。根據(jù)IEC61000-4-2標準,，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A,。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,，標準產品為無鉛,、無鹵素。
特性：
· 截止電壓：5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）
· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固態(tài)硅技術
應用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產品
· 筆記本電腦
ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器,。響應迅速,，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設備,。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們,。 WS72042M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。
ESD5311Z單線,、雙向,、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產品描述
ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計,。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,，以防止因靜電放電（ESD）而產生的過應力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管,。根據(jù)IEC61000-4-2標準,，ESD5311Z可用于提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流,。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝,。標準產品為無鉛且無鹵素。
產品特性
截止電壓：5V
每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標準進行瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）
根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標準進行瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）
根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標準進行瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）
極低電容：CJ=0.25pF（典型值）
極低漏電流：IR<1nA（典型值）
低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）
應用領域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設備
筆記本電腦
ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設計,，極低電容,，出色保護，防止靜電放電損害,。適用于USB,、HDMI等接口，保護敏感組件,。緊湊封裝,，適合便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們,。 WS74199B-6/TR 電流感應放大器 封裝：SOT-363,。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C
WPM3021-8/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOP-8。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z
WD3133高效率,、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器
產品描述：
WD3133是一款高效率,、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,，至小電流限制為1A,。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制（PWM）模式,，固定開關頻率為1.2MHz,，以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件,。在輕負載電流下,，轉換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內保持高效率,。內置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流,。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素,。
產品特性：
寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）
高精度參考電壓1.2MHz開關頻率
高達93%的效率
超過1A（至小值）的功率開關電流限制
從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出
內置軟啟動
應用領域：
智能手機
平板電腦
便攜式游戲機
平板電腦（PADs）
WD3133是專為便攜式設備設計的高效升壓轉換器,，1.2MHz開關頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機,、平板電腦和游戲機等,。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇,。如需更多信息,，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z