IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單,，開關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（）的npt-IGBT性能更佳,，相繼東芝、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種,。IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中,。例電動(dòng)汽車、伺服控制器,、UPS,、開關(guān)電源、斬波電源,、無軌電車等,。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件,，例SCR,、GTO、GTR,、MOSFET,、雙極型達(dá)林頓管等如今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中，單個(gè)元件電壓可達(dá)（pt結(jié)構(gòu)）一（npt結(jié)構(gòu)）,，電流可達(dá),。 IGBT是由 雙極結(jié)型晶體三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件。吉林變頻模塊

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule),。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,?？煽毓枘K優(yōu)點(diǎn)編輯體積小、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。本地模塊零售價(jià)當(dāng) 晶閘管模塊 開啟時(shí),，只要有一定的陽(yáng)極電壓,，無論門極電壓如何，晶閘管保持開啟,，在晶閘管開啟后失去功能,。

早在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）,、普通晶閘管,、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）,、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）,、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,，有三個(gè)電極,，陽(yáng)極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的,。21,、可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光,、勵(lì)磁,、電鍍、電解,、充放電,、電焊機(jī)、等離子拉弧,、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制,、電源等,，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流,、過壓,、過溫、缺相等保護(hù)功能,。32,、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號(hào)采用0～5V,，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式,。從用電端來看,，家用白電、 微波爐,、 LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求,。

雖然在模塊內(nèi)部已對(duì)外部的電壓噪聲采取了相應(yīng)的措施，但是由于噪聲的種類和強(qiáng)度不同,，加之也不可能完全避免誤動(dòng)作或損壞等情況,，因此需要對(duì)交流進(jìn)線加濾波器，并采用絕緣方式接地,，同時(shí)應(yīng)在每相的輸入信號(hào)與地(GND)間并聯(lián) l000pF的吸收電容,。(1)光電耦合器控制 電路  控制電路主要針對(duì)的是單片機(jī)控制系統(tǒng)的弱電控制部分，由于IPM模塊要直接和配電系統(tǒng)連接,，因此,，必須利用隔離器件將IPM模塊和控制部分的弱電電路隔離開來，以保護(hù)單片機(jī)控制系統(tǒng),。IGBT功率模塊實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。天津進(jìn)口模塊報(bào)價(jià)表

在汽車電子領(lǐng)域,，MOS管的應(yīng)用非常廣,。吉林變頻模塊

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此,，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，包括安裝板,、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。可選的,，所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部,，所述連接部一端與所述壓緊部相連，另一端與所述安裝板相連,，所述壓緊部抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),，將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。吉林變頻模塊

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