可選的,，所述連接部包括連接板、以及設(shè)置在所述連接板一側(cè)的凸起,；所述安裝板的上側(cè)設(shè)置有擋板和卡槽，所述擋板豎向設(shè)置且所述擋板上開設(shè)有連接孔或凹槽，所述卡槽位于所述擋板靠近所述igbt單管的一側(cè),；所述連接板的下端插接在所述卡槽內(nèi),，所述連接板側(cè)部的凸起位于在所述連接孔或凹槽內(nèi)?？蛇x的,，所述壓緊部與所述連接板的上端相連，且所述壓緊部遠離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸,?？蛇x的，所述壓緊部遠離所述連接部的一端設(shè)置有工裝槽,?？蛇x的，所述igbt單管的數(shù)量為一個以上,，各所述igbt單管成排設(shè)置在所述安裝板上,。可選的,，所述壓緊件的數(shù)量與所述igbt單管的排數(shù)相等,，每個所述壓緊件將其中一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板上?？蛇x的,，所述壓緊件的連接板呈長條狀，所述壓緊件包括一個以上的所述壓緊部,，各所述壓緊部沿所述連接板的長度方向依次連接在所述連接板的上端,。可選的,，所述安裝板為水冷板,。在IGBT使用中可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓的大小從而實現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。安徽模塊商城

一,、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多,?！隹煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié),。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26,。■從圖表-26中可以看到,，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。■可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。四川節(jié)能模塊IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1 基極的電流已不只是初始的Ib1 ，而是經(jīng)過BG1 ,、BG2 放大后的電流（β1 *β2 *Ib1 ）這一電流遠大于Ib1 ,，足以保持BG1 的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea 或降低Ea ,，使BG1 、BG2 中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時,，可控硅方可關(guān)斷,。當然，如果Ea 極性反接,，BG1 ,、BG2 由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea 接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了。   可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成,，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。

在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,，從而實現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制,。1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失,，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài),。2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài),。3）當集-射極電壓UCE＞0時,，分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成,，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成,，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制,，減少N基區(qū)電阻RN的值,，使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,。常規(guī)模塊構(gòu)件

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能,。安徽模塊商城

技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此,，本實用新型實施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率,。本實用新型實施例提供一種igbt模塊,，包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上?？蛇x的,，所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部，所述連接部一端與所述壓緊部相連,，另一端與所述安裝板相連,，所述壓緊部抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè)，將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。安徽模塊商城

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