可選的,，所述連接部包括連接板,、以及設(shè)置在所述連接板一側(cè)的凸起；所述安裝板的上側(cè)設(shè)置有擋板和卡槽,，所述擋板豎向設(shè)置且所述擋板上開(kāi)設(shè)有連接孔或凹槽,，所述卡槽位于所述擋板靠近所述igbt單管的一側(cè)；所述連接板的下端插接在所述卡槽內(nèi)，所述連接板側(cè)部的凸起位于在所述連接孔或凹槽內(nèi),?？蛇x的，所述壓緊部與所述連接板的上端相連,，且所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸,。可選的,，所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接部的一端設(shè)置有工裝槽,。可選的,，所述igbt單管的數(shù)量為一個(gè)以上,，各所述igbt單管成排設(shè)置在所述安裝板上?？蛇x的，所述壓緊件的數(shù)量與所述igbt單管的排數(shù)相等,，每個(gè)所述壓緊件將其中一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。可選的,，所述壓緊件的連接板呈長(zhǎng)條狀,，所述壓緊件包括一個(gè)以上的所述壓緊部，各所述壓緊部沿所述連接板的長(zhǎng)度方向依次連接在所述連接板的上端,?？蛇x的，所述安裝板為水冷板,。在IGBT使用中可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓的大小從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制,。安徽模塊商城

一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種（見(jiàn)圖表-25）,。螺旋式的應(yīng)用較多?！隹煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見(jiàn)圖表-26,。■從圖表-26中可以看到,，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?！隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。四川節(jié)能模塊IGBT器件已成為軌道交通車(chē)輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件,。

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1 基極的電流已不只是初始的Ib1 ,，而是經(jīng)過(guò)BG1 、BG2 放大后的電流（β1 *β2 *Ib1 ）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1 ,，足以保持BG1 的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea 或降低Ea ,，使BG1 ,、BG2 中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea 極性反接，BG1 ,、BG2 由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái)，Ea 接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。   可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等,。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,，其有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。若柵-射極電壓UGE＞Uth ,，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。

在IGBT使用過(guò)程中,，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制,。1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí),，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài),。2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時(shí),，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài),。3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時(shí),，分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成,，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。②若柵-射極電壓UGE＞Uth,，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。此時(shí),，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值,，使IGBT通態(tài)壓降降低,。IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。常規(guī)模塊構(gòu)件

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能。安徽模塊商城

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此,，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，包括安裝板,、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。可選的,，所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部,，所述連接部一端與所述壓緊部相連，另一端與所述安裝板相連,，所述壓緊部抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),，將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。安徽模塊商城

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