圖1 光電耦合器驅(qū)動電路  推薦使用的光電耦合器有： HCPI,-4505、HCPL-4506、TI.P759 (IGM),、TLP755 等,。一般情況下，光電耦合器要符合UI,。,、VDE 等安全認(rèn)證。同時比較好使光電耦合器和IGBT控制端子間的布線盡量短,。由于光電耦合器兩端間常加有大的du/出,，因此，光電耦合器兩端的布線不要太靠近以減小其間的耦合電容,。在使用15V的直流電源組件時,，電源輸出側(cè)的GND端子不要互聯(lián),，并盡量減少各電源與地間的雜散電容，同時還應(yīng)當(dāng)確保足夠大的絕緣距離（大于2mm),。光電耦合器輸入用的10μF及0.1μF濾波電容主要用于保持控制 電壓平穩(wěn)和使線路阻抗穩(wěn)定,。控制信號輸入端與Vcc端應(yīng)接20kΩ的上拉電阻,，在不使用制動單元時,，也應(yīng)該在DB輸人端與Vcc端之間接20Ω的上拉電阻，否則,，du/dt過大,，可能會引起誤動作。  中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù),，如燒結(jié)取代焊接,，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。進(jìn)口模塊工業(yè)化

整流橋模塊特點(diǎn)：

2,、DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,，它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,，并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃,，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接,，從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻,。同時，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,，以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓,。 陜西私人模塊60年代后期,，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件,。

    IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器,、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大,，驅(qū)動功率小,，控制電路簡單,，開關(guān)損耗小，通斷速度快,，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝,、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中。例電動汽車,、伺服控制器,、UPS、開關(guān)電源,、斬波電源,、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,，幾乎已替代一切其它功率器件,，例SCR、GTO,、GTR,、MOSFET、雙極型達(dá)林頓管等如今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中,，單個元件電壓可達(dá)（pt結(jié)構(gòu)）一（npt結(jié)構(gòu)）,，電流可達(dá)。

■首先,，我們可以把從陰極向上數(shù)的一,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,。晶閘管誕生后,，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的改進(jìn)，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。

■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時,，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來,，Ea接成正向,，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,。進(jìn)口模塊工業(yè)化

若柵-射極電壓UGE＞Uth ,，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。進(jìn)口模塊工業(yè)化

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。進(jìn)口模塊工業(yè)化

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