一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二,、三、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用?？僧?huà)出圖1的等效電路圖,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2,。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),，觸發(fā)信號(hào)加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2）,，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開(kāi)電源E或降低E的輸出電壓，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,?？煽毓枋荘1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié),。上海哪里有西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)家

因此負(fù)載獲得較少的電功率,。這個(gè)典型的電功率無(wú)級(jí)調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它?？煽毓柚饕獏?shù)有：1,、額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、正向阻斷峰值電壓在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加一定電壓,，使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行控制具有：電壓調(diào)節(jié)速度快,，精度高，可分時(shí)段實(shí)時(shí)調(diào)整,，有穩(wěn)壓作用,，采用電子元件，相對(duì)來(lái)說(shuō)體積小,、重量輕,、成本低。但該調(diào)壓方式存在一致命缺陷,，由于斬波,，使電壓無(wú)法實(shí)現(xiàn)正弦波輸出,，還會(huì)出現(xiàn)大量諧波，形成對(duì)電網(wǎng)系統(tǒng)諧波污染,，危害極大,，不能用在有電容補(bǔ)償電路中。,。安徽好的西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module),。

 4、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r(shí)，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成,，如下圖所示。當(dāng)陽(yáng)極A端加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),，此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào)，使得BG2管有基極電流ib2通過(guò),，經(jīng)過(guò)BG2管的放大后,，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極,，故有ib1=ic2,，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2,。此電流又流回BG2的基極,，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增,，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通,。由于在電路中形成了正反饋,，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無(wú)法關(guān)斷，即使控制極G端的電流消失,，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài),。

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）,、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管,、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）,、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）,、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱(chēng)，谷稱(chēng)可控硅模塊,，它是1種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體元器件,，在線(xiàn)路中用字母符號(hào)為“V”、“VT”表達(dá)（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達(dá)）,?？煽毓枘K具備硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下運(yùn)行,，且其運(yùn)行過(guò)程可以控制、被普遍使用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子線(xiàn)路中,?？煽毓枘K有很多種分類(lèi)方法。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)可控硅模塊按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅模塊,、門(mén)極關(guān)斷可控硅模塊（GTO）,、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種,。（二）按引腳和極性分類(lèi)可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊,、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類(lèi)可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊,、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類(lèi)型,。當(dāng)中，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形,、平板形,、圓殼形等很多種；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種,。（四）按電流容量分類(lèi)可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅,、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常,，大功率可控硅多選用金屬殼封裝,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。安徽好的西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)

按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。上海哪里有西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)家

可控硅模塊的控制方式：    通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號(hào)采用0～5V，0～10V,，4～20mA三種比較常用的控制形式,。滿(mǎn)足可控硅模塊工作的必要條件：    （1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。    ①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ,，紋波電壓小于20mv 。    ②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱(chēng)電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A,，標(biāo)稱(chēng)電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A,。上海哪里有西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)家

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