正常選擇的型號Vref=），開始一直覺得問題出在TLV431上,，后來換了板子竟發(fā)現(xiàn)可以正常穩(wěn)壓（應(yīng)該是上一個(gè)板子變壓器和MOS管出現(xiàn)問題,，但沒回去驗(yàn)證），但是mos管很燙,，帶載不到十秒鐘就會冒煙,，后來經(jīng)過與芯片方案的FAE溝通才發(fā)現(xiàn)，MSP3910的驅(qū)動(dòng)MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯(cuò)物料,，mos管工作原理圖是,，但實(shí)際用的是，更換電阻后可輸出正常電壓,，MOS管也不會很燙,。下面是解決問題思路：一、用示波器觀察所用MOS管的G極波形,，如圖一所示,，上升時(shí)間接近，下降時(shí)間接近<160ns（實(shí)測50ns）,，再看如圖二所示的手冊中對MOS驅(qū)動(dòng)上升下降沿要求,，上升時(shí)間要求<35ns，下降時(shí)間<80ns,，可得結(jié)論：上升時(shí)間過長導(dǎo)致MOS管工作為線性狀態(tài),，非開關(guān)狀態(tài)（參看總結(jié)一），MOS管開通過程時(shí)間太長直接導(dǎo)致了MOS管的發(fā)熱嚴(yán)重,。二,、解決：更換驅(qū)動(dòng)限流電阻（圖二中Rg），由于當(dāng)時(shí)手里當(dāng)時(shí)沒有，更換為22歐的電阻后,，G極波形如圖三所示,，Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐,，輸出功率,，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱,?？偨Y(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)1、電路設(shè)計(jì)的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因,。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱mos管）,。遼寧哪里有MOS管代理商

    或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面,，排名第1的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB,、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板,、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制,、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了,。下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對1,，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效）,，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效,。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效,。廣東常見MOS管代理商MOS管的Source和Drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。

    此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋,，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖b），從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通,。我們也可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁,，該橋的大小由柵壓的大小決定,。圖給出了P溝道的MOS管,。MOS管工作原理圖工作過程,，其工作原理類似這里不再重復(fù)。下面簡述一下用C-MOS場效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS管）組成的應(yīng)用電路的工作過程（見圖）,。電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用,。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS管導(dǎo)通,，輸出端與電源正極接通,。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源地接通,。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作,，其相位輸入端和輸出端相反,。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響,，使得柵壓在還沒有到0V,，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不會因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路。

    首先考察一個(gè)更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管,。這個(gè)器件有兩個(gè)電極,，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsicsilicon(外在硅),，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開,。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì)),。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明,。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場,。在器件中,，這個(gè)電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位,。這個(gè)電場把硅中底層的電子吸引到表面來,，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場太弱了,，所以載流子濃度的變化非常小,，對器件整體的特性影響也非常小。當(dāng)MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況,。穿過GATEDIELECTRIC的電場加強(qiáng)了,，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時(shí),，空穴被排斥出表面,。隨著GATE電壓的升高，會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況,。由于過剩的電子,，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion,，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel,。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累,。mos管也稱場效應(yīng)管,，首先考察一個(gè)更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。

    柵極電壓還沒有到達(dá)VGS（th）,，導(dǎo)電溝道沒有形成,，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài),。2.[t1-t2]區(qū)間,GS間電壓到達(dá)Vgs（th），DS間導(dǎo)電溝道開始形成,，MOSFET開啟,，DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數(shù)增長到Va,。3.[t2-t3]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng),，Cgd電容增加,柵極電流持續(xù)流過，由于Cgd電容急劇增大,，抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態(tài),，Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。4.[t3-t4]區(qū)間,至t3時(shí)刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓,Millier效應(yīng)影響變小,，Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電,Cgs電容的電壓上升,至t4時(shí)刻為止.此時(shí)Cgs電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達(dá)小,，MOSFET完全開啟。OS管是指場效應(yīng)管,。它采用絕緣柵結(jié)構(gòu)的晶體三極管,，輸入阻抗高，輸出呈電阻態(tài),。江西定制MOS管代理商

mos管是個(gè)開關(guān),，柵極（G）是控制端，它控制著源極（S）和漏極（D）之間是否能導(dǎo)通,，即是否可以通過電流,。遼寧哪里有MOS管代理商

    這個(gè)電路提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)MOS管,。2,，用小幅度的PWM信號驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。3,，gate電壓的峰值限制4，輸入和輸出的電流限制5,，通過使用合適的電阻,，可以達(dá)到很低的功耗。6,，PWM信號反相,。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過前置一個(gè)反相器來解決,。在設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備和無線產(chǎn)品時(shí),，提高產(chǎn)品性能、延長電池工作時(shí)間是設(shè)計(jì)人員需要面對的兩個(gè)問題,。DC-DC轉(zhuǎn)換器具有效率高,、輸出電流大,、靜態(tài)電流小等優(yōu)點(diǎn)，非常適用于為便攜式設(shè)備供電,。DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展主要趨勢：(1)高頻化技術(shù)：隨著開關(guān)頻率的提高,，開關(guān)變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升,，動(dòng)態(tài)響應(yīng)得到改善,。小功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率將上升到兆赫級。(2)低輸出電壓技術(shù)：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展,，微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作電壓越來越低,，這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的要求。這些技術(shù)的發(fā)展對電源芯片電路的設(shè)計(jì)提出了更高的要求,。首先,，隨著開關(guān)頻率的不斷提高，對于開關(guān)元件的性能提出了很高的要求,，同時(shí)必須具有相應(yīng)的開關(guān)元件驅(qū)動(dòng)電路以保證開關(guān)元件在高達(dá)兆赫級的開關(guān)頻率下正常工作,。其次。遼寧哪里有MOS管代理商

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