可控硅模塊的分類(lèi)可控硅模塊從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)，從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅,。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致,。浙江常見(jiàn)西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule),。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線(xiàn)簡(jiǎn)單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠(chǎng)家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展,。海南加工西門(mén)康可控硅模塊供應(yīng)雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

    答；可控硅有兩種叫法,，精細(xì)一點(diǎn)叫晶閘管,。常用的電力半導(dǎo)體器件有；普通可控硅（SCR）,、門(mén)極（GTO）關(guān)斷可控硅,、電力可控硅（GTR）、電力MoS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MosFET）,、絕緣柵雙極型晶體管,、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等,?？煽毓枘K；是根據(jù)不同的用途與技術(shù)要求,，將單向可控進(jìn)行組合,。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽(yáng)極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個(gè)可控硅模塊。常用于大功率三相橋式,、單相橋式整流電路之中,。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽(yáng)極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點(diǎn)一只陰極k與一只陽(yáng)極A相接）組成一只雙向可控硅模塊,。常用于大功率三相或單相交流調(diào)壓電路中,。例如軟啟動(dòng)器中改變電壓控制電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)的電路中。無(wú)論是什么結(jié)構(gòu)，它們的控制端都是由陰極K與門(mén)極G有二根線(xiàn)引出來(lái)控制的,。下面簡(jiǎn)述一下GT0門(mén)極可關(guān)斷可控硅的組成,。見(jiàn)下面圖門(mén)極可關(guān)斷晶閘管簡(jiǎn)稱(chēng)可關(guān)斷晶閘管，用GTO表示,。它是一種耐高電壓大電流全控器件,。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結(jié)構(gòu)與普通可控硅ScR類(lèi)似,，它的三個(gè)極也是陽(yáng)極A,、陰極k、門(mén)極G,。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號(hào)如上圖所示,。其陽(yáng)極伏安特性如下圖所示。當(dāng)陽(yáng)極加有正電壓,、陰極加有負(fù)電壓時(shí),。

    就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱(chēng)為電角度。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。2：大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,?？煽毓枵{(diào)壓調(diào)速原理小功率分體機(jī)室內(nèi)風(fēng)機(jī)目前用的是PG調(diào)速塑封電機(jī)，為單向異步電容運(yùn)轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī),。為了滿(mǎn)足空調(diào)正常的運(yùn)轉(zhuǎn),，達(dá)到制冷,、制熱能力的平衡，所以必須保證室內(nèi)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速滿(mǎn)足系統(tǒng)的要求,，并保持轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定,。因此采用可控硅調(diào)壓調(diào)速的方法來(lái)調(diào)節(jié)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速。1.電路原理圖2.工作原理簡(jiǎn)介可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電動(dòng)機(jī)端電壓的波形,，從而改變電動(dòng)機(jī)端電壓的有效值,，達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角α1=180°時(shí),?？煽毓枘K通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。

    可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱(chēng),，谷稱(chēng)可控硅模塊,，它是1種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體元器件，在線(xiàn)路中用字母符號(hào)為“V”,、“VT”表達(dá)（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達(dá)）,。可控硅模塊具備硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下運(yùn)行,，且其運(yùn)行過(guò)程可以控制,、被普遍使用于可控整流、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子線(xiàn)路中?？煽毓枘K有很多種分類(lèi)方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)可控硅模塊按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分成普通可控硅模塊,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅模塊,、門(mén)極關(guān)斷可控硅模塊（GTO）,、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種,。（二）按引腳和極性分類(lèi)可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊,、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類(lèi)可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊,、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類(lèi)型,。當(dāng)中,，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形,、圓殼形等很多種,；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。（四）按電流容量分類(lèi)可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅,、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種,。通常，大功率可控硅多選用金屬殼封裝,。 這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用,。海南加工西門(mén)康可控硅模塊供應(yīng)

過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅,。浙江常見(jiàn)西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。為了克服上述問(wèn)題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā)。一般,，電阻取100R,，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開(kāi)路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。5、關(guān)于連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM的大值,，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通,。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導(dǎo)通,。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰。浙江常見(jiàn)西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

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